时间：2025/4/28 11:56:35
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MMBD354LT1G 是一款 NPN 型硅晶体三极管，主要用于高频和高速开关应用。该器件采用 SOT-23 封装，适合表面贴装技术（SMT），广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域。
该三极管具有低饱和电压、高增益和快速开关速度的特点，适用于各种需要小信号放大的场合以及开关电路设计。
集电极-发射极电压：30V
集电极电流：-200mA
直流电流增益（hFE）：100至300
功率耗散：340mW
过渡频率：1GHz
存储温度范围：-65℃至150℃
MMBD354LT1G 具有非常高的过渡频率（fT），可以达到 1GHz，这使其非常适合高频应用。同时，其封装形式为 SOT-23，尺寸小巧且易于安装在 PCB 上。
此外，该器件的低饱和电压允许其在开关模式下实现更高的效率，而较高的直流电流增益则确保了它在放大器中的稳定性能。
SOT-23 封装还提供了出色的散热性能，结合工作温度范围宽广的特点，使其能够在恶劣环境下可靠运行。
该晶体管适用于多种高频和高速应用场景，包括但不限于：
1. 高速开关电路
2. 小信号放大
3. 无线通信模块中的射频开关
4. 脉冲宽度调制（PWM）控制器
5. 消费类电子产品中的逻辑电平转换
6. 工业自动化系统中的传感器接口
MMBT3904LT1G, MMBT3904
