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MMBD353LT1G 发布时间 时间:2025/6/14 19:03:23 查看 阅读:4

MMBD353LT1G是一种NPN型小信号晶体管,主要用于一般的放大和开关应用。该晶体管采用了TO-92封装形式,具有较小的体积和良好的散热性能,适用于各种便携式设备和消费类电子产品中。其低噪声特性和较高的增益使其非常适合用于音频放大器、信号调节电路以及逻辑电平驱动等场景。

参数

集电极-发射极电压:40V
  集电极电流:200mA
  直流电流增益(hFE):100~300
  功率耗散:625mW
  过渡频率:250MHz
  结温范围:-65℃~150℃

特性

MMBD353LT1G晶体管具有以下特点:
  1. 高电流增益,适合在低功率条件下进行信号放大。
  2. 良好的频率响应,能够支持较宽的工作频率范围。
  3. 小型化的TO-92封装设计,便于在紧凑型电路板上安装。
  4. 工作温度范围宽,能够在极端环境条件下稳定运行。
  5. 低饱和电压,提高效率并减少功耗。
  这些特性使它成为众多电子项目中的理想选择,尤其是在需要高效能与高可靠性的场合。

应用

MMBD353LT1G晶体管广泛应用于以下领域:
  1. 音频放大器及前置放大器电路。
  2. 消费类电子产品的控制和驱动电路。
  3. 各种开关模式电源(SMPS)的辅助电路。
  4. 工业自动化设备中的传感器信号处理。
  5. 家用电器中的逻辑电平转换和信号传输。
  由于其高性能和稳定性,这种晶体管成为了许多工程师设计中小型电子项目的首选元器件。

替代型号

MMBT3904LT1G, 2N3904, BC847

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MMBD353LT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF 二极管
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基 - 1 对串联
  • 电压 - 峰值反向(最大)7V
  • 电流 - 最大-
  • 电容@ Vr, F1pF @ 0V,1MHz
  • 电阻@ Vr, F-
  • 功率耗散(最大)225mW
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMBD353LT1GOSMMBD353LT1GOS-NDMMBD353LT1GOSTR