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MMBD2835LT1G 发布时间 时间:2025/6/26 19:14:28 查看 阅读:3

MMBD2835LT1G 是一款高频小信号 NPN 晶体管,采用 SOT-23 封装形式。该晶体管主要用于开关和放大应用,具有高增益、低噪声以及快速切换的特性。其设计适用于各种便携式设备和消费电子领域,例如无线通信模块、音频设备和其他需要高效信号处理的场合。
  该型号是 MMBT2835 的升级版本,通常带有更高的可靠性与更优的电气性能。

参数

集电极-发射极击穿电压:30V
  集电极最大连续电流:200mA
  功率耗散:350mW
  直流电流增益(hFE):100 至 400
  过渡频率(fT):1GHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

MMBD2835LT1G 具有出色的高频响应能力,适合高频电路设计。其封装体积小巧,非常适合空间受限的应用场景。
  主要特点包括:
  1. 高增益:能够在较低输入信号的情况下实现高效的信号放大。
  2. 快速切换:高达 1GHz 的过渡频率使其能够胜任高速开关任务。
  3. 稳定性好:在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气性能。
  4. 耐热性强:SOT-23 封装具备良好的散热性能,支持长期高温运行。
  此外,该器件的低饱和电压有助于提高能效并减少功耗。

应用

这款晶体管广泛应用于高频开关电路、射频信号放大器、振荡器以及便携式电子产品中的信号调节电路。
  典型应用场景包括:
  1. 无线通信设备中的射频前端模块。
  2. 消费类音频产品中的小信号放大。
  3. 数据传输接口中的电平转换电路。
  4. 各种手持设备及嵌入式系统中的控制和驱动功能。
  由于其高性能和小型化设计,MMBD2835LT1G 成为许多现代电子设计的理想选择。

替代型号

MMBT2835LT1G, 2SC3358, BC847C

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MMBD2835LT1G参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管,整流器 - 阵列
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.2V @ 100mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 30V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)100mA(DC)
  • 电压 - (Vr)(最大)35V
  • 反向恢复时间(trr)4ns
  • 二极管类型标准
  • 速度小信号 =
  • 二极管配置1 对共阳极
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称MMBD2835LT1GOSDKR