MMBD1704 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的双极性高频双二极管(Dual Common Cathode Diode),专为高频率开关应用设计。该器件采用小型表面贴装封装(SOT-23),非常适合用于射频(RF)和高速数字电路中的信号检测、整流和隔离功能。MMBD1704 由两个独立的二极管组成,共享一个阴极连接,适用于需要低电容和快速恢复时间的电路。该器件具有良好的温度稳定性和可靠性,广泛应用于通信设备、消费电子产品和工业控制系统中。
类型:双二极管(共阴极)
最大重复反向电压:70V
最大平均正向电流:100mA
峰值电流:500mA
反向恢复时间:4ns
电容(在1MHz):2.5pF
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:SOT-23
MMBD1704 的主要特性之一是其低反向恢复时间(仅4ns),这使其非常适合用于高频开关电路中,以减少开关损耗并提高系统效率。
此外,该器件的低电容特性(2.5pF)在1MHz频率下表现良好,有助于减少信号失真和干扰,因此非常适合用于射频检测和高速信号处理应用。
其SOT-23封装形式不仅节省空间,还便于自动化装配,提高了生产效率。
MMBD1704 每个二极管的最大平均正向电流为100mA,峰值电流可达500mA,能够满足中等功率整流和信号切换的需求。
该器件的耐温范围为-55℃至+150℃,确保了在极端环境条件下的稳定性和可靠性,适用于工业和汽车电子等对环境要求较高的应用场景。
作为双共阴极结构,MMBD1704 可用于简化电路设计,例如在桥式整流器或极性保护电路中提供集成化解决方案。
MMBD1704 主要用于以下几类应用场景:
在射频电路中,它常用于信号检测、功率测量和天线切换控制,得益于其低电容和快速恢复时间,能够有效保持信号完整性。
在高速数字电路中,MMBD1704 可用于电平转换、信号隔离和钳位保护,以防止过压或静电放电(ESD)对敏感元件造成损害。
该器件也广泛用于便携式电子设备中的电源管理电路,如电池充电器和DC-DC转换器中的整流和反向电流保护。
此外,在工业控制系统和汽车电子中,MMBD1704 可用于极性保护、信号采样和继电器驱动等应用场景,提供稳定可靠的二极管功能。
由于其紧凑的SOT-23封装,MMBD1704 非常适合空间受限的设计,如智能手机、无线模块和传感器节点等。
BB112, BAS70-04, MMBD1703, MMBD1705