类型：双极性开关二极管阵列
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：100 V
　　最大平均整流电流（Io）：100 mA
　　最大正向压降（VF）：1.0 V @ 10 mA
　　最大反向漏电流（IR）：100 nA @ 100 V
　　电容（CT）：5 pF @ 0 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-323（SC-70）

MMBD101WS 具备多项优异特性，使其在高频和低电流应用中表现出色。首先，其双二极管结构设计允许两个独立通道同时工作，提高了电路设计的灵活性和效率。每个二极管的重复峰值反向电压可达100 V，能够在中等电压条件下稳定运行，适用于多种电源和信号路径控制场合。
　　其次，MMBD101WS 的最大平均整流电流为100 mA，虽然不是高功率器件，但足以应对许多低功耗电子设备的需求。正向压降在10 mA电流下仅为1.0 V，表明其在导通状态下具有较低的能量损耗，有助于提升系统的能效。
　　此外，该器件的反向漏电流极低，最大仅为100 nA，在100 V反向电压下也能保持良好的绝缘性能，从而确保电路在高阻断电压下的稳定性。其结电容仅为5 pF，在高频应用中表现出色，适合用于射频信号路径、开关调节和信号解调等场景。
　　封装方面，MMBD101WS 采用SOT-323（SC-70）封装，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用，同时支持表面贴装工艺，提高了生产效率和焊接可靠性。
　　最后，该器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适应性强，可在各种恶劣环境条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品。

MMBD101WS 广泛应用于多种电子系统中，尤其适用于需要高频响应和低功耗设计的场合。其双二极管结构使其非常适合用于信号路径隔离、电压钳位保护、电平转换以及逻辑门电路中的控制元件。在通信设备中，该器件常用于射频信号的整流和检测，或作为保护二极管防止静电放电（ESD）对敏感电路造成损害。
　　此外，MMBD101WS 也常用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理电路。其低电容和快速开关特性有助于减少信号失真，提高设备的响应速度和整体性能。
　　在汽车电子系统中，该器件可用于传感器信号调理、车载通信模块的接口保护以及LED驱动电路中的箝位保护。其宽工作温度范围和高可靠性使其成为汽车环境下理想的通用型二极管解决方案。
　　工业控制领域中，MMBD101WS 可用于继电器驱动、逻辑控制电路以及数据采集系统的输入保护，确保系统在复杂电磁环境下的稳定运行。

MMBD101LT1G, MMBD101W, 1N4148W-7-F