类型：NPN型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大发射极-基极电压（Veb）：2V
　　最大功耗（Pd）：200mW
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：SOT-323（SC-70）
　　过渡频率（fT）：1.2GHz
　　噪声系数（NF）：0.45dB @ 1GHz
　　电流增益（hFE）：50~300（根据测试条件）

MMBC1654N7LT1 是一款专为射频和低噪声应用设计的NPN晶体管。其主要特性之一是低噪声系数，通常在1GHz频率下可低至0.45dB，使其非常适合用于低噪声放大器（LNA）的设计。此外，该晶体管的过渡频率（fT）高达1.2GHz，能够支持高频信号放大和处理，适用于无线通信、蓝牙、Wi-Fi和蜂窝网络等应用。
　　该器件具有良好的电流增益特性，其hFE范围为50至300，根据不同的工作电流和电压条件而变化。这种宽泛的增益范围使得它在不同的放大电路中都能提供稳定的表现。此外，MMBC1654N7LT1的最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为30V，使其在小型射频电路中具有较高的可靠性和稳定性。
　　封装方面，该晶体管采用SOT-323（SC-70）封装，尺寸小巧，便于在高密度PCB设计中使用。其低功耗特性（最大功耗为200mW）也使其适用于便携式电子设备和电池供电系统。此外，该器件具有良好的热稳定性和高频响应，能够在复杂的电磁环境中保持稳定的性能。

MMBC1654N7LT1 主要用于射频和微波电路中的低噪声放大器（LNA）设计，特别适用于无线通信系统中的前端接收电路。它也常用于蓝牙模块、Wi-Fi模块、GPS接收器、蜂窝网络设备、RFID读写器等无线通信设备中的信号放大和处理。
　　此外，该晶体管还广泛用于射频混频器、频率倍增器、射频开关和功率放大器电路中。由于其高频性能和低噪声特性，它也被应用于测试设备、频谱分析仪、无线传感器网络和无线音频传输设备中。在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和无线耳机，MMBC1654N7LT1也常被用于射频信号的接收和放大。

MMBC1654N7LT1G, BFQ54, BFQ114, 2N3904, BFR181