MMBA811C8 时间：2025/9/2 19:25:50 阅读：22

MMBA811C8是一款由Mitsubishi Electric（三菱电机）制造的射频（RF）放大器芯片，专为高频应用设计。该器件属于GaAs（砷化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT）技术，适用于需要低噪声和高增益的无线通信系统。MMBA811C8封装紧凑，通常采用8引脚的表面贴装（SMD）封装，适合在有限空间内使用，同时具备良好的热性能和电气性能。

参数

类型：射频放大器
　　技术：GaAs HEMT
　　工作频率：最高可达12 GHz
　　增益：约11 dB @ 12 GHz
　　噪声系数：约0.85 dB @ 12 GHz
　　输出功率：约18 dBm @ 12 GHz
　　工作电压：5V
　　工作电流：约50 mA
　　封装类型：8引脚 SMD

特性

MMBA811C8具有出色的高频性能，能够在高达12 GHz的频率下稳定工作。其低噪声系数（约0.85 dB）使其非常适合用于前端接收器中的低噪声放大器（LNA）。此外，该器件提供较高的增益和输出功率，能够有效增强信号强度，减少后续电路的负担。MMBA811C8采用GaAs HEMT技术，确保了在高频操作下的稳定性和高效能表现。该器件的功耗较低，适合需要长时间运行的无线通信设备。封装形式为8引脚SMD，便于自动化装配和节省PCB空间。
　　MMBA811C8还具备良好的温度稳定性，在宽温度范围内能够保持稳定的性能，适用于户外和工业环境。同时，该器件具有较高的可靠性，适用于高要求的通信基础设施和测试设备。由于其优异的线性度和低失真特性，MMBA811C8也适用于需要高质量信号放大的应用场合，如卫星通信、微波链路和无线局域网（WLAN）系统。

应用

MMBA811C8广泛应用于高频无线通信系统，如卫星通信、点对点微波链路、无线接入系统（WAS）和测试测量设备。该器件也可用于雷达系统、宽带通信设备以及需要低噪声和高增益的射频前端模块。此外，MMBA811C8适用于5G通信基础设施中的射频放大环节，为高速数据传输提供可靠的信号增强能力。在科研和工业领域，该芯片可用于高频信号发生器、频谱分析仪和射频测试设备中的关键放大器环节。