MMBA811C8是一款由Mitsubishi Electric(三菱电机)制造的射频(RF)放大器芯片,专为高频应用设计。该器件属于GaAs(砷化镓)高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,适用于需要低噪声和高增益的无线通信系统。MMBA811C8封装紧凑,通常采用8引脚的表面贴装(SMD)封装,适合在有限空间内使用,同时具备良好的热性能和电气性能。
类型:射频放大器
技术:GaAs HEMT
工作频率:最高可达12 GHz
增益:约11 dB @ 12 GHz
噪声系数:约0.85 dB @ 12 GHz
输出功率:约18 dBm @ 12 GHz
工作电压:5V
工作电流:约50 mA
封装类型:8引脚 SMD
MMBA811C8具有出色的高频性能,能够在高达12 GHz的频率下稳定工作。其低噪声系数(约0.85 dB)使其非常适合用于前端接收器中的低噪声放大器(LNA)。此外,该器件提供较高的增益和输出功率,能够有效增强信号强度,减少后续电路的负担。MMBA811C8采用GaAs HEMT技术,确保了在高频操作下的稳定性和高效能表现。该器件的功耗较低,适合需要长时间运行的无线通信设备。封装形式为8引脚SMD,便于自动化装配和节省PCB空间。
MMBA811C8还具备良好的温度稳定性,在宽温度范围内能够保持稳定的性能,适用于户外和工业环境。同时,该器件具有较高的可靠性,适用于高要求的通信基础设施和测试设备。由于其优异的线性度和低失真特性,MMBA811C8也适用于需要高质量信号放大的应用场合,如卫星通信、微波链路和无线局域网(WLAN)系统。
MMBA811C8广泛应用于高频无线通信系统,如卫星通信、点对点微波链路、无线接入系统(WAS)和测试测量设备。该器件也可用于雷达系统、宽带通信设备以及需要低噪声和高增益的射频前端模块。此外,MMBA811C8适用于5G通信基础设施中的射频放大环节,为高速数据传输提供可靠的信号增强能力。在科研和工业领域,该芯片可用于高频信号发生器、频谱分析仪和射频测试设备中的关键放大器环节。
MGA-81163, ATF-54143, BGA2821