MMB75A-2 是一款由 STMicroelectronics 生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 类型的高频晶体管。该器件广泛应用于射频(RF)和高频放大器电路中,适用于无线通信、广播接收器和其他高频电子设备。MMB75A-2 采用了 SOT-23 封装,具有紧凑的尺寸,便于在高密度电路板上使用。这款晶体管具备良好的高频响应和低噪声特性,是许多射频应用中的理想选择。
类型:NPN 双极型晶体管
最大集电极电流(Ic):100 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):30 V
最大集电极-基极电压(Vcb):30 V
最大功耗(Ptot):300 mW
频率(fT):100 MHz
电流增益(hFE):110-800(取决于工作电流)
封装类型:SOT-23
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
MMB75A-2 晶体管具有多项优异的电气特性,使其在高频放大应用中表现出色。首先,其高达 100 MHz 的过渡频率(fT)确保了在射频和音频放大器中具备出色的频率响应能力,能够处理高频信号而不会产生显著的增益下降。其次,该器件的电流增益(hFE)范围广泛,从 110 到 800,使得它能够在不同工作条件下保持稳定的放大性能。此外,MMB75A-2 的低噪声系数使其适用于前端信号放大器,特别是在接收器电路中,有助于提高信号的清晰度和灵敏度。
该晶体管的 SOT-23 封装不仅节省空间,而且具有良好的热稳定性和机械强度,适合在各种环境条件下使用。其最大集电极电流为 100 mA,最大集电极-发射极电压为 30 V,使其能够在中等功率放大应用中可靠运行。此外,MMB75A-2 的最大功耗为 300 mW,能够在不使用散热片的情况下有效工作,降低了设计复杂度和成本。
由于其优良的高频特性,MMB75A-2 在消费类电子产品、通信设备和工业控制系统中得到了广泛应用。它能够在宽温度范围内(-55°C 至 +150°C)稳定工作,适用于各种严苛环境下的应用需求。
MMB75A-2 主要应用于射频(RF)和音频放大器电路,尤其适用于需要高频响应和低噪声性能的场合。常见的应用包括无线通信设备中的射频放大器、广播接收器的前置放大器、信号发生器、测试仪器以及各类便携式电子设备中的模拟信号处理电路。此外,该晶体管也可用于数字开关电路和低功率放大器设计。
BC547, 2N3904, MMBT2369