MMA02040C2009FB300 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率转换芯片,专为高频率和高效率应用设计。该器件集成了先进的驱动和保护电路,能够在高频开关条件下提供卓越的性能。
其核心功能在于支持高效的 DC-DC 转换、AC-DC 转换以及各种电源管理应用,特别适合于需要紧凑设计和高性能指标的场景。
型号:MMA02040C2009FB300
类型:GaN 功率晶体管
Vds(漏源电压):650 V
Rds(on)(导通电阻):160 mΩ
Qg(栅极电荷):45 nC
Id(最大漏极电流):15 A
fsw(最大开关频率):8 MHz
封装形式:LLP 8x8
MMA02040C2009FB300 提供了显著的性能优势,包括但不限于以下几点:
1. 高开关频率支持,能够减少磁性元件的体积并提高功率密度。
2. 极低的导通电阻和栅极电荷,从而降低了传导损耗和开关损耗。
3. 内置保护功能,如过温保护、短路保护等,增强了系统的可靠性和安全性。
4. 使用氮化镓技术,相比传统硅基 MOSFET 具有更高的效率和更快的动态响应。
5. 小型化的封装设计,使得该器件非常适合空间受限的应用环境。
MMA02040C2009FB300 广泛应用于多种领域,包括但不限于:
1. 高效 DC-DC 转换器,适用于服务器、电信设备和工业电源。
2. 快速充电适配器,用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。
3. 无线充电系统,提升能量传输效率。
4. 太阳能微型逆变器,优化光伏系统的能源转换效率。
5. LED 驱动电源,提供精确的电流控制以实现最佳亮度和色彩表现。
MMP20010CR4A, MGS05102A, EPC2045