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MMA02040C1009FB300 发布时间 时间:2025/6/4 11:04:59 查看 阅读:7

MMA02040C1009FB300 是一款由 ON Semiconductor 提供的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片。它专为需要低导通电阻和高效率的应用而设计,广泛应用于功率管理、负载开关以及 DC-DC 转换等场景。
  该器件采用了先进的半导体制造工艺,能够提供出色的电气性能,并在紧凑的封装中实现高可靠性。

参数

型号:MMA02040C1009FB300
  类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏源电压 (VDS):40 V
  连续漏极电流 (ID):2.0 A
  导通电阻 (RDS(on)):10 mΩ(典型值,VGS=10V)
  栅极电荷 (Qg):6 nC(典型值)
  总功耗 (Ptot):0.57 W
  工作温度范围 (TJ):-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOT-23

特性

MMA02040C1009FB300 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(RDS(on)),可以有效降低功率损耗并提升系统效率。
  2. 小型化的 SOT-23 封装,适合空间受限的设计需求。
  3. 高速开关能力,得益于其较小的栅极电荷 (Qg),能够支持高频应用。
  4. 较宽的工作温度范围 (-55°C 至 +150°C),适用于各种环境条件下的应用。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代电子设备的法规要求。

应用

MMA02040C1009FB300 广泛应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品中的电源管理模块。
  2. 手机和平板电脑中的负载开关。
  3. DC-DC 转换器和电池管理系统。
  4. LED 驱动电路中的功率控制元件。
  5. 各种便携式设备中的高效能功率管理解决方案。

替代型号

MMA02040C1009FB200
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MMA02040C1009FB300参数

  • 数据列表MMU0102,MMA0204,MMB0207 Professional
  • 标准包装3,000
  • 类别电阻器
  • 家庭芯片电阻 - 表面安装
  • 系列MMA 0204 - 汽车, 专业
  • 电阻(欧姆)10
  • 功率(瓦特)0.4W
  • 复合体薄膜
  • 特点-
  • 温度系数±50ppm/°C
  • 容差±1%
  • 封装/外壳MELF,0204
  • 尺寸/尺寸0.055" 直径 x 0.142" L(1.40mm x 3.60mm)
  • 高度-
  • 端子数2
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMA-10ATRMMA-10TRMMA-10TR-ND