MMA02040C1009FB300 是一款由 ON Semiconductor 提供的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片。它专为需要低导通电阻和高效率的应用而设计,广泛应用于功率管理、负载开关以及 DC-DC 转换等场景。
该器件采用了先进的半导体制造工艺,能够提供出色的电气性能,并在紧凑的封装中实现高可靠性。
型号:MMA02040C1009FB300
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 (VDS):40 V
连续漏极电流 (ID):2.0 A
导通电阻 (RDS(on)):10 mΩ(典型值,VGS=10V)
栅极电荷 (Qg):6 nC(典型值)
总功耗 (Ptot):0.57 W
工作温度范围 (TJ):-55°C 至 +150°C
封装形式:SOT-23
MMA02040C1009FB300 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(RDS(on)),可以有效降低功率损耗并提升系统效率。
2. 小型化的 SOT-23 封装,适合空间受限的设计需求。
3. 高速开关能力,得益于其较小的栅极电荷 (Qg),能够支持高频应用。
4. 较宽的工作温度范围 (-55°C 至 +150°C),适用于各种环境条件下的应用。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代电子设备的法规要求。
MMA02040C1009FB300 广泛应用于以下领域:
1. 消费类电子产品中的电源管理模块。
2. 手机和平板电脑中的负载开关。
3. DC-DC 转换器和电池管理系统。
4. LED 驱动电路中的功率控制元件。
5. 各种便携式设备中的高效能功率管理解决方案。
MMA02040C1009FB200
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