时间：2025/6/4 11:04:59
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MMA02040C1009FB300 是一款由 ON Semiconductor 提供的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片。它专为需要低导通电阻和高效率的应用而设计，广泛应用于功率管理、负载开关以及 DC-DC 转换等场景。
该器件采用了先进的半导体制造工艺，能够提供出色的电气性能，并在紧凑的封装中实现高可靠性。
型号：MMA02040C1009FB300
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 (VDS)：40 V
连续漏极电流 (ID)：2.0 A
导通电阻 (RDS(on))：10 mΩ（典型值，VGS=10V）
栅极电荷 (Qg)：6 nC（典型值）
总功耗 (Ptot)：0.57 W
工作温度范围 (TJ)：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23
MMA02040C1009FB300 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），可以有效降低功率损耗并提升系统效率。
2. 小型化的 SOT-23 封装，适合空间受限的设计需求。
3. 高速开关能力，得益于其较小的栅极电荷 (Qg)，能够支持高频应用。
4. 较宽的工作温度范围 (-55°C 至 +150°C)，适用于各种环境条件下的应用。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子设备的法规要求。
MMA02040C1009FB300 广泛应用于以下领域：
1. 消费类电子产品中的电源管理模块。
2. 手机和平板电脑中的负载开关。
3. DC-DC 转换器和电池管理系统。
4. LED 驱动电路中的功率控制元件。
5. 各种便携式设备中的高效能功率管理解决方案。
MMA02040C1009FB200
MMA02040C1009FB100
