时间：2025/5/30 17:22:14
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MM60F060B是一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管，主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。该器件采用TO-220封装形式，具有良好的热性能和电气特性，适用于电源管理、电机驱动、逆变器以及其他高电流应用领域。
该型号以其高击穿电压、低导通电阻以及快速开关能力著称，能够满足多种工业和消费类电子设备的需求。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：38A
导通电阻（典型值）：15mΩ
栅极阈值电压：2.5V~4.5V
总功耗：125W
工作结温范围：-55℃~150℃
MM60F060B具备以下显著特点：
1. 高击穿电压设计使其能够在高达60V的工作环境下稳定运行。
2. 极低的导通电阻（15mΩ），有助于减少功率损耗并提高效率。
3. 快速开关特性使得其在高频应用中表现出色。
4. TO-220封装提供优秀的散热性能，支持大电流操作。
5. 广泛的工作温度范围确保其适应各种恶劣环境。
这款MOSFET广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和直流-直流转换器中的功率开关。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统中的负载切换与控制。
4. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
5. 各种保护电路，如过流保护和短路保护。
IRFZ44N
STP36NF06
FDP5800
