MM5Z5V1T1G
时间:2023/4/6 11:16:34
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概述
齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.980
齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.100
齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.200
@Izt(mA):5
齐纳阻抗Zzt(Ω):60
最大功率PMax(W):0.200
芯片标识:TA
封装/温度(℃):SOD323/-65~150
MM5Z5V1T1G推荐供应商
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- MM5Z5V1T1G
- 上海包恰科技有限公司
- 36000
- ON SEMICONDUCTOR
- 23+/24+/Diode Zener Single 5.1V 6 500mW 2Pin SOD523 T
-
MM5Z5V1T1G参数
- 标准包装1
- 类别分离式半导体产品
- 家庭单二极管/齐纳
- 系列-
- 电压 - 齐纳(标称)(Vz)5.1V
- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
- 电流 - 在 Vr 时反向漏电2µA @ 2V
- 容差±6%
- 功率 - 最大200mW
- 阻抗(最大)(Zzt)60 欧姆
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳SC-79,SOD-523
- 供应商设备封装SOD-523
- 包装Digi-Reel®
- 工作温度-65°C ~ 150°C
- 其它名称MM5Z5V1T1GOSDKR