时间：2023/4/6 11:41:02
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MM5Z4V7ST1G技术参数
齐纳击穿电压Vz最小值(V)：4.400
齐纳击穿电压Vz典型值(V)：4.700
齐纳击穿电压Vz最大值(V)：5
@Izt(mA)：5
齐纳阻抗Zzt(Ω)：800
最大功率PMax(W)：0.100
芯片标识：T9
封装/温度(℃)：SOD523/-65~150
| 厂商 |
|---|
| ON Semiconductor |
