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MM5Z4V3ST1G 发布时间 时间:2025/7/15 19:40:09 查看 阅读:6

MM5Z4V3ST1G是一款由ONSEMI(安森美半导体)生产的表面贴装齐纳二极管(稳压二极管),主要用于电压调节和电路保护。该器件具有低动态阻抗、快速响应时间和良好的温度稳定性等特点,适用于各种电子设备中的稳压和钳位应用。

参数

类型:齐纳二极管(Zener Diode)
  最大齐纳电压(Vz):4.3V(典型值)
  齐纳电流(Iz):5mA
  最大耗散功率(Pd):200mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOD-523(Small Outline Diode)
  引脚数:2
  最大反向漏电流(Ir):100nA(@ VR = 1V)
  最大齐纳阻抗(Zzt):90Ω

特性

MM5Z4V3ST1G采用SOD-523小型表面贴装封装,适合高密度PCB布局。其低齐纳阻抗确保了稳定的输出电压,即使在负载变化时也能维持良好的稳压性能。此外,该器件具有优异的温度系数,能够在宽温度范围内保持稳定的电压调节效果。由于其快速响应特性,MM5Z4V3ST1G也适用于需要快速电压钳位的保护电路,例如在电源管理、电池供电设备、接口电路和信号调节电路中。

应用

该齐纳二极管广泛应用于便携式电子产品、电源供应器、电池管理系统、工业控制系统、通信设备以及各类需要精密电压调节或过压保护的电路中。其小型封装也使其非常适合用于空间受限的设计。

替代型号

MM5Z4V3BHT1G, MM5Z4V7ST1G, BZX84C4V3, BZV4943

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MM5Z4V3ST1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)4.3V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电3µA @ 1V
  • 容差±3%
  • 功率 - 最大200mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)90 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-79,SOD-523
  • 供应商设备封装SOD-523
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-65°C ~ 150°C
  • 其它名称MM5Z4V3ST1GOS