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MM58348N 发布时间 时间:2025/8/7 5:42:43 查看 阅读:41

MM58348N 是一款由 Texas Instruments(德州仪器)生产的 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有低功耗、高速度的特点,适用于需要快速数据访问的应用场景。MM58348N 是一种 8K x 8 位的 SRAM,总容量为 64K 位。该芯片广泛用于工业控制、通信设备、消费电子和计算机外设等领域。

参数

类型:SRAM
  容量:8K x 8 位(64K 位)
  电源电压:4.5V 至 5.5V
  访问时间:12ns、15ns、20ns(根据型号后缀不同)
  封装形式:28 引脚 DIP、28 引脚 SOIC
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)或商业级(0°C 至 +70°C)
  输入/输出电平:TTL 兼容
  功耗:典型待机电流为 10mA,工作电流为 120mA
  封装尺寸:300mil 或 150mil

特性

MM58348N 是一款高性能的静态存储器芯片,具有出色的稳定性和可靠性。其主要特性包括高速访问时间、宽电压工作范围以及低功耗设计。该芯片采用 CMOS 技术制造,使其在保持高速运行的同时,具备较低的功耗。此外,MM58348N 支持 TTL 电平输入,使其能够与多种数字电路兼容。
  该芯片的访问时间有多种选择,如 12ns、15ns 和 20ns,用户可以根据应用需求选择合适的型号。这种灵活性使得 MM58348N 适用于从高速缓存到低功耗数据存储的各种应用。
  其 8K x 8 位的存储结构提供了 64KB 的总存储容量,能够满足多种嵌入式系统和小型计算机的需求。此外,MM58348N 提供了多种封装选项,包括 28 引脚双列直插式封装(DIP)和小型集成电路封装(SOIC),便于在不同类型的电路板上安装和使用。
  在工作温度方面,MM58348N 提供了工业级和商业级两种选项,能够适应从工业控制到消费电子的多种环境。其宽电压工作范围(4.5V 至 5.5V)也增强了其适应性,能够在电源波动较大的环境中保持稳定运行。

应用

MM58348N 主要应用于需要高速、低功耗存储解决方案的电子系统中。例如,在工业控制系统中,该芯片可用于临时数据存储和缓存,以提高系统的响应速度和稳定性。在通信设备中,MM58348N 可作为缓冲存储器,用于临时存储和转发数据包。此外,该芯片也常用于嵌入式系统、测试设备、打印机缓冲区、图形控制器以及老式计算机系统中。
  由于其 TTL 兼容性,MM58348N 可以轻松集成到基于微处理器或微控制器的系统中,作为外部存储器扩展使用。其高速访问时间也使其适用于需要快速读写操作的应用,如图像处理、实时数据采集和高速缓存等场景。

替代型号

CY62256NLL-55PSC、IS62C256AL-45NLI、HM62256BLP-70、AS6C62256-55PCN、MCM62C256

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