MM58348N 时间：2025/8/7 5:42:43 阅读：45

MM58348N 是一款由 Texas Instruments（德州仪器）生产的 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片具有低功耗、高速度的特点，适用于需要快速数据访问的应用场景。MM58348N 是一种 8K x 8 位的 SRAM，总容量为 64K 位。该芯片广泛用于工业控制、通信设备、消费电子和计算机外设等领域。

参数

类型：SRAM
　　容量：8K x 8 位（64K 位）
　　电源电压：4.5V 至 5.5V
　　访问时间：12ns、15ns、20ns（根据型号后缀不同）
　　封装形式：28 引脚 DIP、28 引脚 SOIC
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）或商业级（0°C 至 +70°C）
　　输入/输出电平：TTL 兼容
　　功耗：典型待机电流为 10mA，工作电流为 120mA
　　封装尺寸：300mil 或 150mil

特性

MM58348N 是一款高性能的静态存储器芯片，具有出色的稳定性和可靠性。其主要特性包括高速访问时间、宽电压工作范围以及低功耗设计。该芯片采用 CMOS 技术制造，使其在保持高速运行的同时，具备较低的功耗。此外，MM58348N 支持 TTL 电平输入，使其能够与多种数字电路兼容。
　　该芯片的访问时间有多种选择，如 12ns、15ns 和 20ns，用户可以根据应用需求选择合适的型号。这种灵活性使得 MM58348N 适用于从高速缓存到低功耗数据存储的各种应用。
　　其 8K x 8 位的存储结构提供了 64KB 的总存储容量，能够满足多种嵌入式系统和小型计算机的需求。此外，MM58348N 提供了多种封装选项，包括 28 引脚双列直插式封装（DIP）和小型集成电路封装（SOIC），便于在不同类型的电路板上安装和使用。
　　在工作温度方面，MM58348N 提供了工业级和商业级两种选项，能够适应从工业控制到消费电子的多种环境。其宽电压工作范围（4.5V 至 5.5V）也增强了其适应性，能够在电源波动较大的环境中保持稳定运行。

应用

MM58348N 主要应用于需要高速、低功耗存储解决方案的电子系统中。例如，在工业控制系统中，该芯片可用于临时数据存储和缓存，以提高系统的响应速度和稳定性。在通信设备中，MM58348N 可作为缓冲存储器，用于临时存储和转发数据包。此外，该芯片也常用于嵌入式系统、测试设备、打印机缓冲区、图形控制器以及老式计算机系统中。
　　由于其 TTL 兼容性，MM58348N 可以轻松集成到基于微处理器或微控制器的系统中，作为外部存储器扩展使用。其高速访问时间也使其适用于需要快速读写操作的应用，如图像处理、实时数据采集和高速缓存等场景。