MM407H 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适用于多种高效率功率电路设计。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流 (ID):120A
最大漏源电压 (VDS):60V
最大栅源电压 (VGS):±20V
导通电阻 (RDS(on)):典型值为 2.7mΩ(在 VGS=10V)
功耗 (PD):320W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-263(D2PAK)
MM407H 具有以下几个关键特性:
1. **低导通电阻**:该 MOSFET 的 RDS(on) 典型值为 2.7mΩ,显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统的整体效率。
2. **高电流能力**:MM407H 能够承载高达 120A 的漏极电流,适用于高功率密度应用,如电源转换器和电机控制电路。
3. **高耐压能力**:漏源电压最大可达 60V,适合中高功率的电源管理系统。
4. **快速开关特性**:由于其优化的结构设计,MM407H 具有较快的开关速度,减少了开关损耗,适用于高频工作环境。
5. **良好的热管理**:采用 TO-263 封装,具有优异的散热性能,能够在高功率操作下保持稳定的工作温度。
6. **高可靠性**:工作温度范围从 -55°C 到 +175°C,适用于严苛的工业环境和汽车应用。
7. **栅极驱动兼容性**:MM407H 的栅极电压范围为 ±20V,能够与常见的栅极驱动器兼容,简化了电路设计。
MM407H 的应用领域非常广泛,主要包括:
1. **电源管理**:用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关,提供高效的功率转换。
2. **电机控制**:在电动工具、电动汽车和工业自动化中用于驱动直流电机和步进电机。
3. **电池管理系统**:用于电池充放电控制和保护电路,确保电池组的安全运行。
4. **逆变器系统**:适用于太阳能逆变器和不间断电源(UPS)等应用,提供高效率的功率转换。
5. **工业自动化**:在工业控制系统中用于高电流开关和功率调节,如伺服驱动器和变频器。
6. **汽车电子**:用于车载充电系统、电动助力转向系统(EPS)和车身控制模块等汽车应用,满足严格的汽车电子可靠性要求。
SiHF60N60C3, FDPF60N60C3, IPP60N60C3