MM3Z6V8BW是一种瞬态电压抑制(TVS)二极管,用于保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷击等过电压事件的影响。该器件具有低电容、快速响应时间和高浪涌电流能力,非常适合高速数据线和射频应用的保护。
类型:单向TVS
反向 standoff 电压:6.8V
峰值脉冲电流:98A
最大箝位电压:12.4V
结电容:7pF
响应时间:1ps
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
MM3Z6V8BW采用了先进的硅雪崩技术,能够提供精确的电压箝位功能。其超快的响应时间使其能够迅速抑制瞬态电压,从而避免对下游电路造成损害。此外,该器件还具备低漏电流和稳定的性能,能够在高温环境下长期可靠运行。
由于其较低的结电容,该二极管特别适合高频或高速信号线路中的保护应用,如USB接口、HDMI端口、以太网端口和其他高速数据通信线路。同时,它的小型封装设计使其易于集成到空间受限的应用中。
MM3Z6V8BW广泛应用于消费类电子产品、工业设备和通信设备中。具体应用包括手机、平板电脑、笔记本电脑的接口保护,网络设备的数据线保护,以及汽车电子系统的信号线保护等。
此外,该器件也适用于任何需要防止因过压事件而导致损坏的电路,例如无线模块、传感器输入输出端口和电源管理单元的保护。
MM3Z6V8BWT1G, PESD6V8YB