时间：2023/4/6 11:12:34
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MM3Z5V1ST1G技术参数
齐纳击穿电压Vz最小值(V)：4.800
齐纳击穿电压Vz典型值(V)：5.100
齐纳击穿电压Vz最大值(V)：5.400
@Izt(mA)：5
齐纳阻抗Zzt(Ω)：60
最大功率PMax(W)：0.200
芯片标识：0A
封装/温度(℃)：SOD323/-65~150
| 厂商 |
|---|
| ON Semiconductor |
