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MM3Z5V1B 发布时间 时间:2025/5/9 11:50:05 查看 阅读:22

MM3Z5V1B是一种瞬态电压抑制(TVS)二极管,属于齐纳二极管的一种。该器件主要用于保护敏感的电子设备免受因静电放电(ESD)、电感负载切换和其它瞬态电压引起的损害。
  MM3Z5V1B具有低电容、快速响应时间以及高浪涌电流能力的特点,非常适合用于高速数据线和信号线的保护。其额定反向工作电压为5.1V,能够在不影响系统性能的情况下提供可靠的保护。

参数

型号:MM3Z5V1B
  类型:瞬态电压抑制(TVS)二极管
  反向工作电压(Vrwm):5.1V
  击穿电压(Vbr):5.6V
  最大峰值脉冲电流(Ipp):49A
  箝位电压(Vc):8.4V
  反向漏电流(Ir):1μA(最大值,在25°C下)
  结电容(Cj):6pF(典型值)
  响应时间:1ps(典型值)
  封装形式:DO-214AC(SMA)

特性

MM3Z5V1B的主要特点是能够快速响应瞬态电压,并将电压箝位在安全范围内。它具有以下优势:
  1. 快速响应时间,确保对瞬态电压的有效抑制。
  2. 高浪涌电流承受能力,可承受高达49A的峰值脉冲电流。
  3. 低电容设计,减少对高速信号传输的影响。
  4. 小型化封装,适合空间受限的应用环境。
  5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
  这些特性使MM3Z5V1B成为通信设备、消费类电子产品及工业控制领域中理想的过压保护解决方案。

应用

MM3Z5V1B广泛应用于各种需要保护电路免受瞬态电压影响的场合,具体包括:
  1. USB接口保护。
  2. HDMI接口保护。
  3. 以太网端口保护。
  4. 移动设备中的射频线路保护。
  5. 工业自动化设备中的信号线保护。
  6. 电源输入端口的过压保护。
  7. 其他高速数据传输线路的保护。
  通过使用MM3Z5V1B,可以显著提高电子设备的可靠性和稳定性。

替代型号

PESD5V0X1B, SM7G5.0A, SMAJ5.0A

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MM3Z5V1B参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)5.1V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1V @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电1.8µA @ 2V
  • 容差±2%
  • 功率 - 最大200mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)56 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-90,SOD-323F
  • 供应商设备封装SOD-323F
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-65°C ~ 150°C
  • 其它名称MM3Z5V1BDKR