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MM3638D02YRE 发布时间 时间:2025/12/28 14:59:10 查看 阅读:11

MM3638D02YRE是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管类别。这款晶体管设计用于中功率放大和开关应用,其具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性。MM3638D02YRE广泛用于工业控制、电源管理、音频放大器和各种电子设备中。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极-发射极电压(VCEO):80V
  最大集电极电流(IC):3A
  最大功耗(PD):25W
  电流增益(hFE):100-800(根据工作条件)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-220

特性

MM3638D02YRE晶体管具有多项显著的性能特点,包括高电流增益(hFE)和优异的热稳定性,这使其在复杂的工作环境中依然能够保持稳定运行。其VCEO额定值为80V,能够适应较高电压的应用需求,同时最大集电极电流为3A,使其适用于中高功率放大或开关电路。
  此外,该器件采用TO-220封装形式,这种封装不仅便于散热,还方便在印刷电路板(PCB)上安装,适用于多种电路设计。MM3638D02YRE的hFE参数范围较宽(100-800),根据不同的工作条件和电流水平,提供了灵活的设计选择。
  该晶体管还具备良好的短路保护能力,在过载情况下能够有效防止损坏。其工作温度范围较宽(-55°C至+150°C),适合在极端温度环境下使用,例如工业自动化设备或汽车电子系统。

应用

MM3638D02YRE晶体管主要用于需要中等功率处理能力的电路设计。例如,在电源管理系统中,它可以作为开关元件,用于控制电源的导通与关断,同时适用于DC-DC转换器或稳压电路中的功率放大环节。
  此外,该晶体管也广泛应用于音频放大器电路,尤其是在前置放大或驱动级电路中,利用其高增益特性来提升信号强度。工业控制领域中,MM3638D02YRE可以用于驱动继电器、电机或LED阵列等负载,实现对设备的高效控制。
  汽车电子领域也是MM3638D02YRE的重要应用方向之一,例如用于车载音响系统、灯光控制系统或传感器信号处理电路中,其宽温度范围和高可靠性确保了其在严苛环境下的稳定运行。

替代型号

MM3638D02YRE的替代型号包括MM3638D02Y、MM3638D02、MM3638D02YRE1、BC547、2N3904等。

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