您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MM3571A22URE

MM3571A22URE 发布时间 时间:2025/12/28 4:36:22 查看 阅读:19

MM3571A22URE是一款由Magnachip Semiconductor生产的高效、低功耗同步降压型DC-DC转换器芯片,广泛应用于需要高效率和小尺寸电源解决方案的便携式电子设备中。该器件采用电流模式控制架构,能够在宽输入电压范围内稳定工作,并提供精确的输出电压调节。MM3571A22URE集成了多个功能模块,包括高侧和低侧功率MOSFET、脉宽调制(PWM)控制器、反馈环路补偿以及多种保护机制,从而减少了外部元件数量,简化了电源设计并节省了PCB空间。该芯片特别适用于对空间和能效要求较高的应用,如智能手机、平板电脑、无线模块、物联网设备以及其他嵌入式系统。其封装形式为小型化的DFN(Dual Flat No-lead)封装,有助于提高热性能和在紧凑布局中的适应性。此外,MM3571A22URE具备良好的瞬态响应能力,能够在负载快速变化时维持稳定的输出电压,确保系统的可靠运行。

参数

工作输入电压范围:2.7V ~ 5.5V
  输出电压:2.2V(固定)
  最大输出电流:1.2A
  开关频率:3MHz
  静态电流:30μA(典型值)
  关断电流:1μA(最大值)
  占空比范围:0% ~ 100%
  反馈参考电压:0.6V(内部精度±2%)
  工作效率:高达95%(典型条件)
  过温保护:有,自动恢复
  过流保护:有,逐周期限流
  封装类型:DFN-8(2mm x 2mm)
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C

特性

MM3571A22URE采用恒定频率电流模式控制架构,这种控制方式不仅提升了系统的稳定性,还显著改善了瞬态响应性能。在负载突变的情况下,芯片能够迅速调整占空比以维持输出电压的稳定,这对于供电敏感的数字处理器或射频模块尤为重要。其内置的高端P沟道MOSFET和低端N沟道MOSFET实现了高效的同步整流,避免了传统肖特基二极管带来的导通损耗,从而大幅提高了整体转换效率,尤其是在轻载和中等负载条件下表现优异。该芯片支持3MHz的高开关频率,使得外部电感和电容可以选用更小尺寸的元件,进一步缩小电源模块的总体占用面积,非常适合高密度集成的移动设备。
  为了提升系统可靠性,MM3571A22URE集成了多重保护机制,包括过流保护(OCP)、过温保护(OTP)和欠压锁定(UVLO)。当输出短路或负载异常导致电流超过设定阈值时,芯片会启动逐周期电流限制功能,防止器件损坏;当结温升高至安全限值以上时,内部热关断电路将自动关闭输出,待温度下降后恢复正常操作。此外,芯片具有软启动功能,可有效抑制启动过程中的浪涌电流,避免输入电源波动影响其他电路单元。其低静态电流设计(仅30μA)极大地延长了电池供电设备的工作时间,在待机或休眠模式下仍能保持高效运行。得益于内部补偿网络的设计,用户无需外接复杂的环路补偿元件,降低了设计难度并提高了生产一致性。

应用

MM3571A22URE主要应用于各类便携式电子产品中,作为主电源或辅助电源的DC-DC转换解决方案。常见应用场景包括智能手机和平板电脑中的核心处理器、内存和传感器供电;在Wi-Fi、蓝牙、ZigBee等无线通信模块中提供稳定的低压电源;也可用于可穿戴设备如智能手表、健康监测设备等对体积和功耗极为敏感的产品。此外,该芯片适用于工业传感器节点、便携式医疗设备、消费类IoT终端以及小型无人机等依赖电池长时间工作的系统。由于其具备高效率、小封装和良好的动态响应能力,MM3571A22URE也常被用于替代LDO稳压器以提升能效,特别是在输入输出压差较大的场合。在FPGA、ASIC或MCU的内核供电设计中,该器件能够提供可靠的1.2A输出能力,满足现代低电压、高电流数字电路的需求。其高开关频率特性使其兼容陶瓷电容,有助于实现低噪声、低纹波的电源输出,适合对电源质量要求较高的模拟前端或RF电路供电。

替代型号

[
   "MP2315DJ-LF-Z",
   "RT8059GJ6",
   "SGM2039-2.2YN5G",
   "XC9236C22MR-G"
  ]

MM3571A22URE推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价