时间：2025/3/25 10:39:08
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MM3563B13RRE是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为需要高效率和低导通电阻的应用而设计。该器件采用先进的半导体制造工艺，能够提供卓越的开关性能和出色的热稳定性。其主要用途包括开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率转换的场景。
该芯片具有较低的导通电阻，可有效减少功率损耗，并具备快速开关能力以适应高频应用需求。此外，它还集成了多种保护功能，如过流保护、过温保护等，从而提高了系统的可靠性和安全性。
型号：MM3563B13RRE
类型：N-Channel MOSFET
VDS（漏源电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：3mΩ（典型值，@VGS=10V）
IDS（连续漏极电流）：120A
VGS（栅源电压）：±20V
总功耗：225W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247-3
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），可有效降低导通损耗，提高系统效率。
2. 高额定电流能力，支持高达120A的连续漏极电流。
3. 快速开关速度，适合高频应用环境。
4. 强大的散热性能，适用于高温工作场景。
5. 内置多重保护机制，包括过流保护和过温保护，确保器件在异常情况下的安全运行。
6. 工作温度范围宽广，能够适应恶劣的工作环境。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统中的负载开关和DC-DC转换器。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换组件。
IRF3205
STP120NF60
FDP5500
