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MM3508C03RRE 发布时间 时间:2025/3/25 10:40:03 查看 阅读:13

MM3508C03RRE 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,属于 N 沟道增强型 MOSFET。该器件主要应用于电源管理、电机驱动以及负载开关等场景。其设计注重低导通电阻和高效率,适合需要大电流输出的应用环境。
  MM3508C03RRE 采用了先进的制造工艺,具备良好的热性能和电气特性,能够显著降低功耗并提高系统可靠性。此外,该芯片封装形式紧凑,便于在有限空间内进行布局和安装。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:80A
  导通电阻(典型值):3mΩ
  栅极电荷:45nC
  总电容:1200pF
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-247

特性

1. 极低的导通电阻确保了高效的功率传输和较低的功耗。
  2. 高额定电流能力使其适用于多种大功率应用场合。
  3. 快速开关特性降低了开关损耗。
  4. 热稳定性强,能够在极端温度条件下正常运行。
  5. 封装坚固耐用,支持表面贴装和通孔安装方式。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主功率开关。
  2. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
  3. 工业自动化设备中的负载控制。
  4. 大电流 DC/DC 转换器。
  5. 各类电子系统的保护电路,如过流保护和短路保护。

替代型号

IRFZ44N
  STP80NF06
  FDP8870