时间:2025/12/28 14:32:50
阅读:9
MM3154XURE 是一款由 MagnaChip 生产的高效能、低电压、双通道、N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛用于需要高效能和小尺寸封装的电源管理应用。该器件采用了先进的高压工艺技术,具有低导通电阻(Rds(on))、高功率密度和良好的热稳定性,非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及其他便携式设备中的功率控制场景。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):4.8A(@Vgs=10V)
导通电阻(Rds(on)):19mΩ(@Vgs=10V)
功耗(Pd):2.4W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:TSOT-23
MM3154XURE 的主要特性之一是其低导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通损耗,提高系统效率。其低栅极电荷(Qg)使得开关损耗显著降低,适用于高频开关应用。该器件还具备较高的耐压能力,能够在 30V 的漏源电压下稳定工作,适用于多种中低压功率管理场景。
此外,MM3154XURE 采用 TSOT-23 封装,体积小巧,适合空间受限的便携式电子设备。其良好的热稳定性与高功率密度设计相结合,使得该器件在高电流工作条件下仍能保持稳定性能。该 MOSFET 还具备较强的抗静电能力(ESD)和良好的短路耐受能力,增强了其在复杂工作环境下的可靠性。
器件的栅极驱动电压范围较宽,支持 4.5V 至 20V 的工作电压,便于与各种栅极驱动电路兼容。其优异的开关特性使其在同步整流、马达控制、负载开关以及电源管理模块中表现出色。
MM3154XURE 主要用于需要高效能、低功耗和紧凑设计的电源管理系统。典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)、马达控制电路、便携式电子设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)的电源管理模块,以及各种工业自动化和通信设备中的功率控制电路。其低导通电阻和高效率的特性使其成为替代传统双极型晶体管或高损耗 MOSFET 的理想选择。
Si2302DS, AO3400A, FDS6680, IRF7309