MM3076XNRE 时间：2025/9/12 13:02:03 阅读：18

MM3076XNRE是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件设计用于高频放大和开关应用，具有良好的线性特性和高频响应，适用于射频（RF）和模拟电路设计。MM3076XNRE采用SOT-23封装，体积小、功耗低，并具备较高的可靠性，是许多高频电子系统中的理想选择。

参数

类型：NPN双极型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　直流电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

MM3076XNRE具有优异的高频性能，其过渡频率（fT）高达100 MHz，使其适用于高频放大器和射频电路设计。
　　该晶体管具备宽广的直流电流增益（hFE）范围（110-800），便于在不同电路配置中实现稳定的放大性能。
　　采用SOT-23封装，具备优良的热性能和机械稳定性，适合在空间受限的PCB布局中使用。
　　其最大集电极电流为100 mA，最大集电极-发射极电压为30 V，适用于中等功率的开关和放大应用。
　　该器件的工作温度范围广泛，从-55°C到+150°C，适应各种环境条件下的运行，提高了系统的可靠性。
　　MM3076XNRE的低功耗特性使其在便携式电子设备和电池供电系统中表现优异。

应用

MM3076XNRE广泛应用于射频（RF）放大器、前置放大器、高频振荡器等高频模拟电路中。
　　该器件也常用于音频放大电路、信号调节电路以及低噪声放大器的设计。
　　由于其良好的线性特性和高频响应，该晶体管可用于无线通信系统中的射频前端模块。
　　此外，MM3076XNRE也可作为开关晶体管使用，适用于数字逻辑电路、驱动电路以及传感器接口电路。
　　在测试设备、工业控制系统和消费类电子产品中，该晶体管也得到了广泛应用。