时间：2025/12/24 10:27:06
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MM1Z36W 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等高功率电子设备中。该晶体管采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK，具体取决于制造商的设计需求。该器件适合在高频应用中使用，并能够承受较高的电压和电流。此外，它还具备优异的 ESD 防护能力以及稳定的工作特性。
类型：MOSFET
极性：N-Channel
最大漏源电压（Vds）：600V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：12A
导通电阻（Rds(on)）：0.4Ω（典型值）
输入电容（Ciss）：1500pF
功耗（Ptot）：160W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 低导通电阻设计，有效降低功率损耗。
2. 快速开关特性，适用于高频电路环境。
3. 高耐压能力，支持高达 600V 的漏源电压。
4. 内置反向恢复二极管，优化了效率并减少开关噪声。
5. 良好的热稳定性，确保长时间运行的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料制作。
7. 优秀的抗静电能力（ESD），增强器件耐用性。
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换级。
2. 电机驱动电路中的功率控制元件。
3. 逆变器和 UPS 系统中的关键开关组件。
4. LED 驱动器中的高效能量管理。
5. 充电器和适配器中的功率调节模块。
6. 工业自动化设备中的功率开关部件。
IRFZ44N, STP12NM60, FDP18N60C, CSD19536KCS, IPP034N06N4L
