MM1Z30是一种常见的稳压二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和电压参考应用。该器件采用小信号封装,具有稳定的击穿电压特性,广泛应用于电子电路中的稳压和保护电路。MM1Z30的额定齐纳电压为30V,适用于多种低功率稳压场景。
齐纳电压:30V
容差:±5%
额定功率:200mW
最大正向电流:100mA
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
MM1Z30稳压二极管的主要特性是其稳定的齐纳击穿电压,在反向偏置条件下能够提供精确的电压调节。其容差为±5%,确保了在不同工作条件下电压的稳定性。此外,该器件的额定功率为200mW,适用于低功耗应用。MM1Z30具有较高的温度稳定性,可在-55℃至+150℃的宽温度范围内正常工作。其小信号封装形式使其适合在紧凑的电路板布局中使用。
该器件还具有快速响应时间,能够在电压波动时迅速调整,确保电路的稳定运行。MM1Z30的正向电流最大可达100mA,适用于多种低电流应用场景。由于其良好的稳定性和可靠性,MM1Z30常被用于电源管理、信号调节和电压参考电路中。
MM1Z30主要应用于需要稳定电压输出的电子设备中。常见的应用包括电源电路中的电压调节、模拟信号处理中的参考电压源、以及各类电子设备中的过压保护电路。它也常用于电池供电设备、消费电子产品、工业控制系统和测试测量仪器中。此外,MM1Z30还可用于信号调理电路中,提供精确的电压基准。
MM1Z30B, 1N4749A, BZV55-C30