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MM1W135 发布时间 时间:2025/5/30 14:15:18 查看 阅读:6

MM1W135是一款高性能的MOSFET功率晶体管,主要用于开关电源、电机驱动、逆变器等应用中。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高击穿电压的特点,能够有效提升系统效率并降低能耗。
  这款功率MOSFET属于N沟道增强型,支持高频开关操作,适用于各种工业和消费电子领域。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(V_DS):600V
  最大栅源电压(V_GS):±20V
  最大漏极电流(I_D):13.5A
  导通电阻(R_DS(on)):0.3Ω(在V_GS=10V时)
  总功耗(P_TOT):270W
  结温范围(T_J):-55℃至+150℃

特性

MM1W135具备以下主要特性:
  1. 高击穿电压(600V),适合高压环境下的应用。
  2. 低导通电阻(0.3Ω@V_GS=10V),有助于减少传导损耗,提高整体效率。
  3. 快速开关性能,支持高频工作场景。
  4. 具备出色的热稳定性和可靠性,能够在较宽的温度范围内正常运行。
  5. 小型化封装设计,便于PCB布局和安装。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅材料。

应用

MM1W135广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
  2. 电机驱动电路,用于控制直流或步进电机。
  3. 逆变器系统,例如太阳能逆变器或不间断电源(UPS)。
  4. 各类工业设备中的电源管理单元。
  5. 消费电子产品中的高效功率开关组件。
  6. LED驱动器和其他需要高压大电流的应用场景。

替代型号

IRF840,
  STP160N10,
  FDP150N10AE

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