时间：2025/8/17 18:56:55
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MM1836A50NRE 是一款由 Motorola（现为 On Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率应用。该器件采用 TO-220AB 封装，具备良好的导通特性和快速的开关性能，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及各种开关电源电路。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：36A
最大漏源电压（VDS）：50V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.045Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220AB
MM1836A50NRE 的最大漏极电流可达 36A，支持在高负载条件下稳定工作。其漏源电压额定值为 50V，适用于中等电压应用，如电池供电系统、电源适配器和功率放大器。该器件的栅源电压范围为 ±20V，具备较强的栅极驱动兼容性，可与多种控制器和驱动器配合使用。
其导通电阻仅为 0.045Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，MM1836A50NRE 的工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C，适用于工业级和汽车电子等恶劣环境下的应用。TO-220AB 封装具有良好的散热性能和机械强度，便于安装和使用。
该 MOSFET 还具备快速开关特性，减少开关损耗，并支持高频操作，提高整体系统的响应速度和稳定性。其设计结构优化了电场分布，增强了器件的耐久性和可靠性，适合长期连续运行的应用场景。
MM1836A50NRE 广泛应用于多种电力电子系统中，包括 DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及工业自动化控制系统。其高电流承载能力和低导通电阻使其在电源管理模块中表现出色，特别是在需要高效率和小体积设计的应用中具有显著优势。
在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及车载逆变器等。其高可靠性和宽温度范围也使其适用于航空航天、工业设备和消费类电子产品中的功率控制电路。
IRFZ44N, FDP3632, FQP3635, STP36NF06L
