MM1530CURE 是一款高性能的 N 治疗级 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电源管理、开关和驱动应用。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和性能。
MM1530CURE 属于增强型 N 沟道 MOSFET,具有出色的电气特性和可靠性,能够在高温环境下稳定运行,因此广泛应用于工业、汽车和消费电子领域。
型号:MM1530CURE
类型:N 沟道 MOSFET
VDS(漏源电压):60V
RDS(on)(导通电阻,典型值):4.5mΩ
ID(连续漏极电流):28A
Qg(栅极电荷):17nC
fsw(最大工作频率):1MHz
封装形式:TO-220
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
MM1530CURE 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(RDS(on)),可有效减少功率损耗,提高系统效率。
2. 快速开关能力,支持高达 1MHz 的工作频率,适合高频应用。
3. 高耐压能力,额定 VDS 为 60V,能够承受瞬态高压冲击。
4. 小巧的 TO-220 封装设计,便于安装和散热。
5. 宽工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
6. 具备优异的热稳定性和抗静电能力,确保长期可靠运行。
MM1530CURE 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
2. 直流电机驱动和控制电路。
3. 负载切换和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 汽车电子系统中的电池管理系统(BMS)和逆变器。
6. LED 照明驱动电路。
7. 通信设备中的电源管理和信号处理单元。
MM1531CURE, IRFZ44N, FDP5500