时间：2025/4/28 20:27:20
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MLG1608B1N0ST000 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率晶体管，由 MACOM 提供。它采用了 GaN-on-Silicon 技术，适用于高频和高效率应用场合。该器件设计用于射频功率放大器、无线通信基站以及雷达系统等高性能应用场景。
这款 GaN 晶体管在尺寸上非常紧凑，封装形式为小型化塑封 SMD 封装，适合高密度电路板布局。其卓越的电气性能使其成为传统硅基 LDMOS 或者其他半导体材料的理想替代方案。
最大漏源电压：100V
最大栅极电压：+6V/-4V
漏极饱和电流：1.2A
输出功率：5W
增益：10dB
频率范围：DC-6GHz
封装类型：SMD
MLG1608B1N0ST000 具有高击穿电压、低导通电阻和高频工作能力，是新一代功率放大器的核心组件。由于氮化镓材料的优异性能，该器件能够实现更高的效率和更小的体积。
此外，它的热阻较低，散热性能优越，非常适合高功率密度的应用场景。与传统的硅基功率晶体管相比，MLG1608B1N0ST000 在高频段表现出更好的线性和稳定性。
该器件还具备内置保护功能，包括过压保护和短路保护，从而提高了整体系统的可靠性。
MLG1608B1N0ST000 广泛应用于射频功率放大器的设计中，特别适用于无线基础设施中的宏基站和小基站。
此外，该器件也常见于军事领域的相控阵雷达系统，以及工业、科学和医疗设备 (ISM) 的高频能量传输。
由于其出色的效率和紧凑的外形，MLG1608B1N0ST000 还被用作卫星通信和航空航天应用中的关键元件。
MLG1608B2N0ST000
MLG1608C1N0ST000
