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MLG1005S8N2JT 发布时间 时间:2025/12/22 16:58:11 查看 阅读:20

MLG1005S8N2JT是一款由村田制作所(Murata Manufacturing Co., Ltd.)生产的多层陶瓷电感器(Multilayer Ceramic Inductor),属于其MLG系列。该器件采用先进的片状结构设计,专为高频应用环境下的小型化和高性能需求而开发。其尺寸极为紧凑,封装尺寸为1005(即1.0mm x 0.5mm),符合EIA标准的0402英制尺寸,适用于对空间要求极为严格的便携式电子设备,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他高密度贴装的移动通信产品。该电感器基于低温共烧陶瓷(LTCC)工艺制造,通过在陶瓷介质中堆叠多个导电层形成螺旋电感结构,从而实现稳定的电感值和优良的高频特性。MLG1005S8N2JT的标称电感值为8.2nH,允许有一定的公差范围(通常为±5%或±10%,具体以规格书为准),适用于射频(RF)前端模块中的阻抗匹配、滤波和谐振电路等应用场景。由于其低直流电阻(DCR)、高自谐振频率(SRF)以及良好的温度稳定性,该器件能够在GHz级别的高频信号处理中保持较低的插入损耗和较高的Q值,有助于提升系统的整体效率与信号完整性。此外,MLG1005S8NJT具有优异的抗机械应力性能和热循环耐久性,能够在严苛的工作环境中稳定运行。

参数

产品类型:多层陶瓷电感器
  封装尺寸:1005(1.0mm x 0.5mm)
  电感值:8.2nH
  公差:±5%
  额定电流:最大约300mA(具体依工作温度条件变化)
  直流电阻(DCR):典型值约为0.35Ω
  自谐振频率(SRF):通常高于6GHz
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  焊接耐热性:符合回流焊工艺要求(JEITA标准)
  磁芯材料:非磁性陶瓷基材

特性

MLG1005S8N2JT采用村田独有的多层陶瓷技术,在微小尺寸下实现了优异的高频性能和电气稳定性。其核心优势在于使用了非磁性材料作为基板,避免了传统铁氧体磁芯可能带来的磁饱和与非线性失真问题,因此特别适合用于高频射频线路中需要高度线性响应的场合。该器件的内部电极采用银或铜等高导电金属制成,并经过精确的光刻与层压工艺控制,确保每一批次产品的参数一致性与可靠性。由于其结构对称且寄生电容极小,MLG1005S8N2JT在GHz频段内表现出较高的自谐振频率(SRF),使其有效工作频带更宽,可用于Wi-Fi、蓝牙、ZigBee、5G sub-6GHz等多种无线通信系统的匹配网络设计。
  此外,该电感器具备出色的温度稳定性与老化特性,即使在极端温度条件下也能维持电感值的变化在可控范围内,保障系统长期运行的可靠性。其表面经过特殊绝缘处理,具备一定的防潮与抗氧化能力,同时兼容标准SMT贴片工艺,便于自动化生产组装。在机械方面,尽管体积微小,但其结构经过优化设计,能够承受多次热冲击和振动应力,不易因焊接点开裂而导致失效。村田对该系列产品进行了严格的筛选与测试,符合RoHS环保指令及无卤素要求,适用于全球市场的消费类电子产品出口需求。综合来看,MLG1005S8N2JT是一款面向高端射频应用的小型化、高性能片式电感器,广泛应用于移动终端中的PA模块、天线调谐单元、LC滤波器以及高速数字信号路径的噪声抑制等场景。

应用

主要用于智能手机、平板电脑、无线模块、蓝牙耳机、物联网设备等便携式电子产品中的射频电路设计。典型应用场景包括射频功率放大器(PA)输出匹配网络、天线阻抗调谐电路、低通/带通滤波器构建、本振信号路径去耦以及高频信号线路中的噪声滤除。由于其高SRF和低损耗特性,也常被用于Wi-Fi 6/6E、5G NR等高频通信频段的前端模组中,协助实现高效的能量传输与信号完整性管理。此外,在一些高密度PCB布局中,该器件还可作为高速差分信号路径的补偿元件,用以微调传输线特性阻抗。

替代型号

LQM18FN8N2B02

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MLG1005S8N2JT参数

  • 制造商TDK
  • 产品种类RF 电感器
  • 电感8.2 nH
  • 容差5 %
  • 最大直流电流500 mAmps
  • 最大直流电阻0.3 Ohms
  • 自谐振频率4 GHz
  • Q 最小值8
  • 工作温度范围- 55 C to + 125 C
  • 端接类型SMD/SMT
  • 封装 / 箱体0402 (1005 metric)
  • 尺寸0.5 mm W x 1 mm L x 0.5 mm H
  • 封装Reel
  • 产品High Inductors
  • 系列MLG1005
  • 工厂包装数量10000
  • 测试频率100 MHz