时间：2025/12/22 17:10:25
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MLG1005S4N3ST是一款由TDK公司生产的多层陶瓷电感器（Multilayer Ceramic Inductor），属于其MLG系列，专为高频应用设计。该器件采用先进的多层陶瓷技术制造，具有小型化、高Q值和优异的高频特性，适用于现代便携式电子设备中的射频（RF）电路匹配、噪声抑制和信号滤波等场景。MLG1005S4N3ST的封装尺寸为1005（即1.0mm x 0.5mm），符合小型化趋势，适合高密度贴装的印刷电路板设计。其标称电感值为4.3nH，允许偏差通常为±0.2nH，适用于GHz频段的无线通信系统，如智能手机、平板电脑、无线模块和物联网设备。该电感器使用贵金属内电极材料，确保良好的导电性和长期可靠性，并经过严格的温度循环和老化测试，以保证在复杂工作环境下的稳定性。此外，MLG1005S4N3ST具备良好的抗磁干扰能力和低直流电阻（DCR），有助于减少能量损耗并提高系统效率。由于其优异的高频性能和稳定的电气参数，该器件广泛应用于移动通信设备的前端模块、功率放大器匹配网络、天线调谐电路以及各类高频LC滤波器中。
型号：MLG1005S4N3ST
品牌：TDK
封装尺寸：1005 (1.0mm x 0.5mm)
电感值：4.3nH
电感公差：±0.2nH
自谐振频率(SRF)：典型值约6.0GHz
直流电阻(DCR)：最大约350mΩ
额定电流：最大约100mA
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
产品类型：表面贴装多层陶瓷电感
磁芯材料：陶瓷
屏蔽类型：无屏蔽
Q值：在1GHz下典型值大于50
MLG1005S4N3ST多层陶瓷电感器以其卓越的高频性能和紧凑的物理尺寸，在射频集成电路中扮演着关键角色。该器件采用TDK独有的低温共烧陶瓷（LTCC）工艺制造，通过精确控制每层陶瓷介质与内部螺旋电极的叠加，实现高度一致的电感特性与极小的寄生效应。这种结构不仅提升了单位体积内的电感精度，还显著降低了等效串联电阻（ESR），从而减少发热并提升整体电路效率。其高达6GHz的自谐振频率（SRF）意味着在5G通信、Wi-Fi 6E及蓝牙等高频应用场景中仍能保持良好的电感行为，避免因接近谐振点而导致的阻抗失真问题。高Q值（品质因数）是该器件另一大优势，特别是在1GHz以上频段仍可维持Q值超过50，这使得它非常适合用于构建低插损、高选择性的射频滤波器和阻抗匹配网络。
此外，MLG1005S4N3ST具备出色的温度稳定性和时间稳定性，其电感值随温度变化率极低，确保在不同环境条件下电路性能的一致性。器件采用镍/锡电极结构，兼容标准回流焊工艺，便于自动化贴片生产。由于其非磁性陶瓷基材，不会产生外部磁场泄漏，对周边元件干扰极小，特别适用于高密度集成的移动终端PCB布局。同时，该电感不含有铁氧体材料，因此不存在磁饱和现象，在大信号瞬态条件下仍能保持线性响应，提高了系统的动态可靠性。综合来看，MLG1005S4N3ST凭借其微型化设计、高频适应能力、高Q值和稳定可靠的电气特性，成为现代高频电子设备中不可或缺的关键被动元件之一。
MLG1005S4N3ST主要应用于各类高频射频电路中，尤其是在移动通信设备的射频前端模块（FEM）中用于阻抗匹配和信号滤波。常见用途包括智能手机中的功率放大器（PA）输出匹配网络、天线切换模块（ASM）中的谐振电路、无线局域网（Wi-Fi 2.4GHz/5GHz/6GHz）和蓝牙模块的LC滤波器设计。此外，该电感也广泛用于物联网（IoT）设备、可穿戴电子产品、射频识别（RFID）标签读写器以及毫米波雷达传感器中的高频信号处理路径。由于其优异的高频特性和小型封装，特别适合空间受限但对性能要求严苛的应用场景。在5G NR频段（如n77、n78、n79）的射频前端设计中，MLG1005S4N3ST可用于构建宽带匹配网络，帮助优化天线效率和发射功率。同时，也可作为去耦或噪声抑制元件，抑制高频开关噪声对敏感射频线路的干扰。其稳定的电气参数使其在高温高湿环境下依然表现可靠，适用于工业级和消费级电子产品。
LQM18DN4N3MGRL
DLW10HN4N3SQ2
LL1005S4N3ST
