型号：MLF2012DR68JT
　　制造商：Vishay Dale
　　封装/外壳：2012（0805公制）
　　电感值：680nH
　　容差：±5%
　　额定电流（Irms）：1.4A
　　直流电阻（DCR）典型值：98mΩ
　　饱和电流（Isat）：1.7A（下降30%）
　　最大高度：1.2mm
　　工作温度范围：-55°C 至 +155°C
　　自谐振频率（SRF）：最小约200MHz（具体依数据表为准）
　　磁芯材料：铁氧体
　　端接：银（Ag）或镀锡
　　感应系数Q值：在指定频率下较高，体现良好高频性能

MLF2012DR68JT具备多项突出的电气与物理特性，使其在同类产品中表现出色。首先，其采用高性能铁氧体磁芯材料，这种材料具有高磁导率和低损耗特性，能够有效提升电感器的能量存储效率并减少涡流损耗，尤其在高频开关电源环境中表现优异。同时，该电感使用精细铜线绕制而成，配合优化的绕线结构，显著降低了直流电阻（DCR），从而减少了I2R损耗，提高了整体能效，这对于电池供电设备尤为重要。
　　其次，该器件拥有高达1.7A的饱和电流（以电感值下降30%为标准），意味着它能在较大负载条件下仍维持稳定的电感性能，避免因磁芯饱和导致系统失效。与此同时，其温升电流（Irms）也达到1.4A，表明其具备良好的散热能力与长期运行可靠性。低剖面设计（最大高度仅1.2mm）使得该电感非常适合超薄设备应用，如智能手机、可穿戴设备和平板电脑等。
　　再者，MLF2012DR68JT具有出色的温度稳定性，可在-55°C至+155°C的宽温度范围内正常工作，适应极端环境下的使用需求。其结构坚固，具备优良的抗振动和抗热循环能力，确保SMT回流焊过程中不会出现开裂或脱层现象。此外，该电感器的自谐振频率较高（通常超过200MHz），使其在GHz以下频段内保持接近理想电感的行为，适用于射频前端电路中的匹配网络或EMI滤波。
　　最后，该产品符合AEC-Q200标准（若适用），并通过了严格的质量认证流程，保证批量生产的一致性与可靠性。整体而言，MLF2012DR68JT集小型化、高效率、高可靠性于一体，是现代电子设计中不可或缺的关键被动元件之一。

MLF2012DR68JT因其优异的电气性能和紧凑的封装尺寸，被广泛应用于多种电子系统中。在移动通信设备领域，如智能手机、平板电脑和无线模块中，该电感常用于DC-DC降压或升压转换器的储能环节，提供稳定的能量传输路径，并帮助实现高效的电压调节。其低直流电阻和高饱和电流特性有助于延长电池续航时间，并提升电源系统的动态响应能力。
　　在便携式消费电子产品中，例如蓝牙耳机、智能手表和物联网传感器节点，MLF2012DR68JT凭借其微型化设计和可靠的高频性能，广泛用于电源滤波和噪声抑制电路中，有效降低电磁干扰（EMI），提高信号完整性。此外，在射频前端模块中，该电感可用于阻抗匹配网络，确保发射与接收链路之间的最佳功率传输。
　　工业控制与自动化设备中，该器件常见于开关电源（SMPS）、LED驱动电路和电机控制单元中，承担滤波和稳压功能。其宽工作温度范围和高耐热性使其能在高温工业环境中长期稳定运行。汽车电子系统也是其重要应用领域之一，包括车载信息娱乐系统、ADAS模块和车身电子控制单元，特别是在满足AEC-Q200标准的前提下，可用于非动力总成相关的电源管理电路。
　　此外，该电感还可用于服务器和网络通信设备中的多相VRM（电压调节模块）设计，支持高速处理器的瞬态电流需求。综上所述，MLF2012DR68JT适用于所有需要小型化、高效率和高可靠性的电感解决方案的应用场景。

[
　　 "IHLP2012BZER68M51",
　　 "SRP2012FR-680Y",
　　 "DLW21HN681XK2",
　　 "LQM2MPNN681SP0",
　　 "AMWE2012D681J"
　　]