产品系列：MLF
　　封装/外壳：2012（0805 公制）
　　电感值：0.27 μH
　　容差：±5%
　　额定电流（Isat）：3.5 A
　　额定电流（Itemp）：3.0 A
　　直流电阻（DCR）典型值：39 mΩ
　　最大直流电阻（DCR）：42 mΩ
　　自谐振频率（SRF）最小值：1.8 GHz
　　工作温度范围：-55°C ~ +155°C
　　核心材料：铁氧体
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　高度：1.0 mm
　　磁屏蔽类型：部分屏蔽
　　端接形式：镍/锡镀层
　　符合标准：AEC-Q200（部分型号）、RoHS合规

MLF2012DR27JTD25采用了Vishay专有的微层扁平线圈（Micro-Layer Flat）技术，这种结构通过将扁平化的铜导线以多层方式绕制在高性能铁氧体磁芯上，实现了低剖面与高电流处理能力的完美结合。该技术显著降低了传统圆形导线绕组中存在的趋肤效应和邻近效应带来的交流损耗，从而提升了电感器在高频开关电源中的效率。其极低的直流电阻（DCR）仅为约39mΩ，意味着在通过大电流时产生的I2R损耗更小，有助于提高电源转换效率并减少热积累，这对紧凑型高密度PCB布局尤为重要。
　　该电感器具备优异的电流处理能力，其饱和电流（Isat）高达3.5A，表示在电感值下降至初始值70%时所能承受的电流水平；而温升电流（Itemp）为3.0A，指在温度上升40°C条件下可长期工作的最大电流。这两个参数共同表明该器件适用于需要持续大电流输出的降压型DC-DC变换器中，例如为处理器、FPGA或ASIC供电的POL（Point-of-Load）电源模块。由于其良好的热稳定性和低功耗特性，即使在高温环境下也能保持可靠运行。
　　MLF2012DR27JTD25的工作温度范围宽达-55°C至+155°C，满足严苛环境下的应用需求，包括工业自动化设备和车载电子系统。其部分磁屏蔽设计有效抑制了外部磁场泄漏，降低了对邻近敏感电路的电磁干扰（EMI），同时增强了抗外界磁场干扰的能力。该器件的自谐振频率（SRF）典型值超过1.8GHz，使其可在数百kHz到数MHz的开关频率范围内稳定工作，适用于现代高频同步整流Buck转换器拓扑结构。
　　此外，该电感器采用表面贴装封装，兼容标准SMT生产工艺，便于自动化贴片与回流焊接，提高了生产效率和装配可靠性。其端子经过镍/锡双层镀覆处理，确保良好的可焊性和长期耐腐蚀性。整体结构坚固，抗震性强，适合在振动频繁或机械应力较大的应用场景中使用。

MLF2012DR27JTD25主要用于各类需要高效、小型化功率电感的直流-直流转换电路中。其典型应用场景包括移动智能终端设备中的电源管理系统，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于为应用处理器、图形芯片和射频模块提供稳定的低压大电流供电。在这些设备中，该电感常被用作同步降压（Buck）转换器的储能元件，配合控制器和MOSFET实现高效的电压调节。
　　在通信基础设施领域，该器件可用于基站模块、光模块电源以及网络交换机中的POL电源设计，因其高频特性和低EMI表现，有助于满足严格的信号完整性要求。此外，在消费类电子产品如TWS耳机充电仓、智能家居控制板和便携式音频设备中，该电感也广泛用于电池升压或降压电路，以延长续航时间并提升能效。
　　在工业控制与自动化系统中，MLF2012DR27JTD25适用于PLC模块、传感器供电单元和嵌入式工控主板上的电源转换环节，特别是在空间受限但需较高电流输出的设计中表现出色。其宽温工作能力和高可靠性也使其可用于部分车载电子系统，如车载信息娱乐系统（IVI）、ADAS传感器模块和车身控制模块，尤其是在非动力总成区域的应用中，符合AEC-Q200的部分可靠性标准要求。
　　此外，该电感还可用于FPGA、DSP和微控制器的核心电压调节电路，确保数字逻辑电路获得干净且稳定的VCCIO或VCCINT电源。在LED驱动电源、无线充电发射/接收模块以及小型电源适配器中也有潜在应用价值。总体而言，该器件适用于所有追求高功率密度、高效率和良好热管理性能的现代电子系统。

SLF2012T-R27N1R2