产品系列：MLF
　　封装/尺寸：2012（5030）
　　电感值：0.22 μH
　　电感公差：±10%
　　直流电阻（DCR）典型值：36 mΩ
　　额定电流（Isat）：5.5 A @ 30%下降
　　额定电流（Itemp）：4.2 A @ 40°C温升
　　自谐振频率（SRF）最小值：350 MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +155°C
　　核心材料：铁氧体
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　屏蔽类型：全屏蔽
　　RoHS合规性：是
　　AEC-Q200认证：是

MLF2012DR22KT的核心优势在于其采用扁平铜线绕组技术和微型化全屏蔽结构，显著提升了功率密度与电气性能。扁平线绕制相比传统圆线能更有效地填充磁芯窗口，减少空隙率，从而降低绕组交流电阻和涡流损耗，提高整体效率。这种设计特别适用于高频开关电源应用，例如降压（Buck）、升压（Boost）及升降压（Buck-Boost）转换器，能够在数MHz的开关频率下保持低功耗运行。同时，由于直流电阻仅为36mΩ左右，导通损耗极低，有助于提升电源系统的能效，延长电池供电设备的工作时间。
　　该电感器的饱和电流高达5.5A（以电感值下降30%为标准），表明其在大电流负载条件下仍能维持较高的电感量，避免因磁芯饱和导致的性能骤降。这对于瞬态响应快、负载变化剧烈的数字电源系统尤为重要，比如为处理器、FPGA或ASIC供电的POL（Point-of-Load）转换器。此外，其温升电流为4.2A，在不超过40°C温升的前提下可长期稳定运行，体现出良好的热管理能力。全屏蔽结构不仅抑制了外部电磁干扰，也防止自身磁场影响周边敏感线路，提升了PCB布局灵活性。
　　MLF2012DR22KT的工作温度范围宽达-55°C至+155°C，满足严苛环境下的使用需求，包括汽车引擎舱附近、工业控制模块以及户外通信设备。其铁氧体磁芯材料具有优异的初始导磁率和低剩磁特性，确保在不同温度和频率条件下电感值稳定性高。器件符合RoHS标准且无卤素，支持绿色环保制造流程。AEC-Q200认证进一步验证了其在汽车级应用中的可靠性，可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器电源轨等场景。整体而言，该电感器集小型化、高效率、高电流承载能力和强抗干扰性于一体，是现代高性能电源设计的理想选择。

MLF2012DR22KT广泛应用于各类需要高效、小体积功率电感的场合。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的DC-DC转换器，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的电源管理单元（PMU），用于实现电压调节和能量转换。在这些设备中，该电感器帮助构建高效的降压电路，将电池电压降至处理器、内存或其他IC所需的工作电压，同时最大限度地减少能量损失和发热问题。
　　在通信领域，该器件可用于射频模块、Wi-Fi模组和基站前端电源中，作为LC滤波网络的一部分，抑制开关噪声并提供稳定的偏置电流。其高达350MHz的自谐振频率使其能在高频环境下正常工作而不发生容性反转，保障信号完整性。在汽车电子方面，得益于AEC-Q200认证和宽温工作能力，MLF2012DR22KT适用于车身控制模块、车载导航系统、摄像头模块以及LED照明驱动电源等子系统。
　　此外，工业自动化设备、PLC控制器、传感器节点和嵌入式计算平台也常采用此类高可靠性电感器。在服务器和数据中心的板载电源设计中，它可用于多相VRM（电压调节模块）架构中，配合MOSFET和控制器构成高性能POL解决方案。总之，凡是对空间、效率、电流能力和EMI有较高要求的电源电路，均可考虑选用MLF2012DR22KT作为关键储能元件。

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　　 "ISL2012DR22T",
　　 "XAL2012-0.22MK"
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