产品系列：MLF
　　封装/外壳：2012（0805公制）
　　电感值：0.12 μH
　　电感公差：±10%
　　直流电阻（DCR）典型值：34 mΩ
　　额定电流（Irms）：1.9 A
　　饱和电流（Isat）：2.4 A
　　自谐振频率（SRF）最小值：2.6 GHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　最大高度：1.2 mm
　　端接类型：银电极，无铅兼容
　　磁屏蔽类型：半屏蔽或全屏蔽结构（具体依版本而定）
　　应用类别：高频DC-DC转换器、大电流电源模块

MLF2012DR12KT的核心优势在于其采用先进的金属复合材料作为磁芯，这种材料通过高压成型工艺将细小的磁性颗粒与绝缘层均匀混合，显著降低了涡流损耗和磁滞损耗，从而在高频工作条件下仍能维持较高的Q值和较低的温升。这种设计特别适用于现代高速数字电路中的多相VRM（电压调节模块）和POL（负载点）电源系统，其中对瞬态响应速度和效率要求极高。
　　该电感的平面绕组结构不仅减小了寄生电容，还有效抑制了电磁干扰（EMI），减少了对外部滤波元件的需求，有助于简化系统设计并节省PCB面积。由于其良好的磁屏蔽特性，漏磁场被限制在很小范围内，避免了邻近元件间的相互干扰，提高了系统的整体可靠性。此外，在大电流通过时，MLF2012DR12KT表现出较小的电感下降率，这意味着即使在接近饱和电流的情况下，依然能够提供稳定的储能能力，保障电源环路的动态响应性能。
　　热管理方面，该器件具有优异的散热性能，得益于其大面积的金属接触面和低DCR设计，功率损耗主要以传导方式传递至PCB，从而降低局部热点风险。在连续满载运行时，温升控制在合理范围内，延长了使用寿命。同时，该电感对环境湿度不敏感，不会因吸湿而导致性能退化或开裂，适合用于高湿环境下的长期运行。其坚固的结构也使其能够承受多次热循环而不发生断裂或脱层，满足汽车电子和工业控制等严苛应用的要求。
　　从制造角度看，MLF2012DR12KT采用自动化精密卷绕与压制成型工艺，保证了批次间的一致性和高良率。其端子设计优化了与焊膏的润湿性，提升了SMT贴片良率，减少立碑、偏移等缺陷。此外，该器件通过AEC-Q200认证的可能性较高（需查证具体型号），适用于部分车规级应用。总体而言，MLF2012DR12KT是一款集小型化、高效率、高可靠性和良好EMI性能于一体的高性能功率电感，是现代高频、大电流电源设计的理想选择之一。

MLF2012DR12KT主要用于高频开关模式电源（SMPS）中，特别是在需要小尺寸和高效率的便携式电子设备中发挥关键作用。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、超薄笔记本电脑和可穿戴设备中的DC-DC降压转换器，用于为主处理器、GPU、内存和其他核心逻辑电路提供稳定的低电压大电流供电。其高饱和电流和低直流电阻特性使其能够在多相电源架构中有效分担电流，提升整体电源系统的动态响应能力和转换效率。
　　在无线通信模块中，该电感常用于射频功率放大器（PA）的供电路径，作为去耦和储能元件，确保在信号突发传输期间仍能维持稳定的电压供应。此外，它也可用于Wi-Fi、蓝牙和蜂窝网络芯片组的电源滤波电路中，抑制开关噪声对敏感射频前端的影响。
　　在LED驱动电路中，MLF2012DR12KT可用于升压或降压型恒流源拓扑，为高亮度LED提供精确的电流控制，同时凭借其小体积优势便于集成到紧凑的照明模组中。在电池管理系统（BMS）和充电管理IC的外围电路中，该电感可用于构建高效的同步整流升压或反激变换器，实现快速充电和能量回收功能。
　　工业和汽车电子领域也有潜在应用，例如车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和小型电机控制器等，尤其在空间受限但需承受较宽温度范围和振动环境的场合。此外，该器件还可用于FPGA、ASIC和DSP等高性能数字芯片的旁路电源设计，配合陶瓷电容构成完整的去耦网络，降低电源阻抗，抑制电压波动，保障高速数字信号完整性。

IHLP2012BZER12M01
　　IHM2012ABER12M01
　　SPM2012DR12KT
　　DLW21SNR12SKL