产品类型：铁氧体磁珠
　　材质：镍锌（NiZn）铁氧体
　　封装尺寸：1.6mm x 0.8mm x 0.8mm（0603英制）
　　阻抗@100MHz：56Ω
　　直流电阻（DCR）：典型值0.45Ω，最大值0.55Ω
　　额定电流：100mA（温升限制）
　　工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
　　存储温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　自谐振频率（SRF）：通常大于500MHz
　　耐压：50V max
　　电容效应：<0.3pF
　　磁珠类别：通用型高频滤波
　　包装形式：卷带编带，每卷3000片

MLF1608DR56JT作为TDK MLF系列中的高性能铁氧体磁珠，具备卓越的高频噪声抑制能力。其核心特性之一是采用了高纯度镍锌铁氧体材料，在高频段（特别是100MHz以上）表现出显著的阻抗特性，能在不引入额外信号衰减的前提下有效吸收并耗散高频噪声能量。这种材料还具有低剩磁和高居里温度的特点，确保在大电流或高温环境下仍能维持稳定的磁导率和阻抗性能。
　　该器件的设计优化了内部电极结构与磁芯分布，实现了极低的直流电阻（DCR），从而减少了因电流通过而产生的热损耗，提高了整体效率，尤其适用于电池供电设备中对功耗敏感的应用场景。同时，其小尺寸封装（1.6×0.8×0.8mm）使得它非常适合用于空间受限的高集成度电子产品，如智能手机、TWS耳机和智能手表等。
　　MLF1608DR56JT具备出色的温度稳定性，其阻抗随温度变化较小，能够在-55°C至+125°C的宽温范围内可靠运行，满足工业级和汽车级应用需求。该产品通过AEC-Q200认证，表明其在机械强度、热冲击、湿度敏感性和长期可靠性方面均达到汽车行业严格标准，可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器和车身控制模块等关键部位。
　　此外，该磁珠支持高速自动化贴片工艺，采用标准SMT回流焊接流程，兼容无铅焊接技术。其外部电极采用三层电镀结构（铜-镍-金），增强了焊接可靠性和抗腐蚀能力。由于其非线性电感特性，不会像普通电感那样产生明显的相位延迟，因此特别适合用于高速数字信号线路（如USB、MIPI、HDMI）的EMI滤波，避免影响信号完整性。
　　总体而言，MLF1608DR56JT凭借其高频性能、小型化设计、高可靠性和广泛的适用性，成为现代电子系统中不可或缺的EMI抑制元件。

MLF1608DR56JT广泛应用于各类需要高效电磁干扰抑制的电子设备中。在移动通信领域，常用于智能手机和平板电脑的电源管理电路、射频前端模块以及基带处理器周围的去耦网络，用于滤除开关电源引入的高频噪声，提升通信质量和信号清晰度。在可穿戴设备中，因其微型化封装和低功耗特性，被部署于心率传感器、蓝牙无线传输线路和电池充电路径中，以保障低功耗运行的同时减少对外部设备的干扰。
　　在消费类电子产品如TWS耳机、智能音箱和数码相机中，该磁珠用于音频信号通道和时钟线路的噪声抑制，防止高频干扰导致音质失真或图像抖动。在计算机外围设备中，如SSD、内存模块和USB接口电路，MLF1608DR56JT有助于降低共模噪声，提高数据传输稳定性。
　　在汽车电子系统中，该器件符合AEC-Q200标准，适用于车载导航系统、倒车影像摄像头、车载收音机和CAN/LIN总线接口的EMI滤波，确保车辆电子系统的电磁兼容性（EMC）达标。此外，在物联网设备、无线路由器和Wi-Fi/Bluetooth模块中，该磁珠用于隔离不同功能区之间的噪声耦合，增强无线信号的接收灵敏度。
　　工业控制和医疗电子设备也大量使用此类磁珠，例如PLC控制器、便携式监护仪和血糖检测仪，利用其稳定的电气性能和高可靠性来保证系统长期稳定运行。总之，凡是涉及高频信号处理、电源去噪或EMC合规性设计的场合，MLF1608DR56JT都是一种理想的选择。

BLM18AG560SN1
　　 BLM18PG560SN1
　　 DLW21HN560XK2
　　 ACMF-1608-R56J
　　 SRP0310CA-560M