MLD1N06CLT4G 时间：2025/6/21 10:50:49 阅读：6

MLD1N06CLT4G 是一款 N 沟道逻辑增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它属于超低导通电阻的功率 MOSFET，广泛用于各种高效能开关和负载控制应用。该器件采用 SOT-23 封装，具有小型化和高效率的特点，非常适合空间受限的应用场景。
　　这款 MOSFET 通常用于需要高频开关、低功耗以及快速开关特性的电路中，例如 DC/DC 转换器、负载开关、电源管理模块等。

参数

型号：MLD1N06CLT4G
　　封装：SOT-23
　　Vds（漏源极击穿电压）：60V
　　Rds(on)（导通电阻，典型值）：75mΩ @ Vgs=4.5V
　　Id（连续漏极电流）：1.18A
　　Qg（栅极电荷）：4nC
　　f（工作频率范围）：最高支持到几百kHz
　　Ptot（总功率耗散）：430mW
　　Vgs（栅源极电压）：±20V
　　Tj（结温范围）：-55°C 至 +150°C

特性

MLD1N06CLT4G 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可以减少传导损耗，提高整体系统效率。
　　2. 快速开关速度，得益于较小的栅极电荷 Qg，能够有效降低开关损耗。
　　3. 高度可靠的性能，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
　　4. 小尺寸 SOT-23 封装设计，适用于对 PCB 空间要求严格的场合。
　　5. 较高的 Vds 和 Id 参数，可满足大多数低压电源和信号处理应用的需求。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料制造。

应用

MLD1N06CLT4G 可以应用于以下领域：
　　1. 各种 DC/DC 转换器，包括降压和升压转换器。
　　2. 开关模式电源 (SMPS) 中的功率级开关。
　　3. 电池供电设备中的负载开关或保护电路。
　　4. LED 驱动电路中的电流调节和开关控制。
　　5. 便携式电子设备如智能手机、平板电脑和其他消费类电子产品中的电源管理。
　　6. 工业控制、汽车电子中的小型继电器替代方案。
　　7. 数据通信接口中的信号切换与隔离。