ML5830DM-T 时间：2025/8/16 5:11:36 阅读：7

ML5830DM-T是一款由Melexis公司生产的双极型线性霍尔效应传感器集成电路（IC）。该芯片设计用于高精度的磁场检测应用，通过将磁场强度转换为电压输出，实现对磁场变化的高灵敏度测量。ML5830DM-T采用SOT-23-5小型封装，适合在空间受限的环境中使用，广泛应用于工业控制、汽车电子、消费电子以及精密测量设备等领域。这款传感器具有良好的温度稳定性和线性度，能够在较宽的温度范围内提供可靠和稳定的性能。

参数

供电电压：4.5V至6.0V
　　工作温度范围：-40°C至150°C
　　输出类型：电压输出
　　灵敏度：2.5mV/G
　　线性范围：±1000G
　　响应时间：10μs
　　封装类型：SOT-23-5

特性

ML5830DM-T的核心特性在于其高灵敏度和宽线性范围，能够检测非常微弱的磁场变化，同时在强磁场环境下依然保持良好的线性响应。该芯片内部集成了霍尔元件、信号放大器和温度补偿电路，确保了在不同环境温度下的测量稳定性。其低功耗设计和宽供电电压范围使其适用于多种电源条件下的应用，包括电池供电设备。此外，ML5830DM-T的快速响应时间使其能够适应高速磁场变化的应用需求，如电机控制和磁场监测系统。芯片的SOT-23-5封装形式不仅节省空间，还便于表面贴装工艺（SMT）的实施，提高了生产效率和可靠性。
　　该传感器的输出电压与磁场强度呈线性关系，使得其在磁场测量和控制系统中具有很高的精度。ML5830DM-T还具备良好的抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中保持稳定的性能。

应用

ML5830DM-T广泛应用于工业自动化控制系统中的磁场检测和测量，例如用于检测电机转子位置、磁性材料的接近检测以及磁场强度监测等。在汽车电子领域，该芯片可用于无接触式位置传感器、速度传感器以及磁场相关的安全控制系统。在消费电子产品中，ML5830DM-T可用于磁性附件识别、电子罗盘校准以及智能设备中的磁场感应功能。此外，该芯片还适用于精密测量仪器和实验室设备中的磁场检测模块。