时间：2025/8/15 23:44:50
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ML5825DM是一款由Melexis公司生产的霍尔效应传感器集成电路，主要用于检测磁场的存在和强度。该芯片集成了霍尔元件、信号放大器、偏置发生器以及输出驱动电路，适用于无接触位置检测、速度检测、电流感应等多种应用。ML5825DM采用双极性电源供电，具有良好的温度稳定性和抗干扰能力，适合在工业控制和汽车电子系统中使用。
类型：霍尔效应传感器
工作电压：4.5V 至 5.5V
输出类型：模拟电压输出
灵敏度：典型值 1.6 mV/Gauss
偏移电压：±2 mV（最大）
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装类型：SOP8
ML5825DM具有高灵敏度的霍尔传感器核心，能够精确检测磁场的变化。芯片内部集成了一个温度补偿电路，确保在不同温度条件下仍能保持稳定的性能。其输出电压与磁场强度成比例，便于与外部电路连接进行信号处理。
此外，ML5825DM具备良好的线性度和重复性，适用于需要高精度检测的应用场景。其双极性电源供电方式（通常为±5V）使其能够适应多种供电条件，同时具有较强的抗干扰能力，适用于复杂电磁环境中的工业和汽车应用。
该器件采用SOP8封装，体积小巧，便于集成到各种电路板设计中。ML5825DM还具有快速响应时间，适合用于动态磁场检测和实时控制系统中。
ML5825DM广泛应用于工业自动化系统中，如无接触位置检测、速度测量、转速检测等。在汽车电子领域，它可以用于检测方向盘位置、车门关闭状态、电动座椅位置等。此外，该芯片也可用于电流检测系统，通过检测电流产生的磁场来实现非接触式电流测量。在消费类电子产品中，ML5825DM可用于滑盖手机的开合检测、电子锁的状态监测等应用场景。
DRV5053、A1302、SS49E
