尺寸：0402（1.0mm x 0.5mm）
　　电容值：10μF
　　额定电压：6.3V DC
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，±15%）
　　电容容差：±10%
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　直流偏压特性：随电压增加电容值下降（典型X7R特性）
　　绝缘电阻：≥50 MΩ 或 ≥500 Ω·F（取较大值）
　　耐焊接热：符合IEC 60068-2-59标准
　　端接电极：镍阻挡层 + 锡镀层（Ni/Sn），无铅兼容

ML101J21-02作为一款高性能的多层陶瓷电容器，其核心优势在于在微型封装下实现了相对较大的电容值，这得益于村田先进的叠层工艺和高介电常数材料的应用。在0402这一极小封装内实现10μF的电容容量，体现了当前MLCC技术的高度集成化水平。这种高容积比使得该器件特别适用于空间受限的便携式设备，如智能手机、可穿戴设备和平板电脑中的电源去耦网络。其X7R介质材料确保了在宽温度范围内电容值的稳定性，这对于需要在不同环境条件下保持一致性能的应用至关重要。例如，在户外通信模块或汽车电子系统中，温度波动剧烈，X7R特性能够有效减少因温度变化引起的电路参数漂移。
　　该电容器的直流偏压特性是实际应用中需要重点关注的因素。随着施加的直流电压接近其额定电压6.3V，其有效电容值会显著下降，这是铁电介质材料的固有特性。因此，在设计时应参考制造商提供的直流偏压曲线，确保在实际工作电压下仍能满足电路对电容值的要求。例如，在3.3V或5V电源轨的去耦应用中，尽管标称电容为10μF，实际可用容量可能仅为标称值的50%-70%，设计者必须据此进行裕量规划。
　　在高频性能方面，0402封装带来的低等效串联电感（ESL）使其自谐振频率较高，能够在MHz频段内保持有效的去耦能力，优于更大封装的同类器件。同时，其低等效串联电阻（ESR）有助于减少功率损耗和发热，提高电源系统的整体效率。此外，该器件的端电极经过特殊设计，增强了抗热冲击和抗机械应力的能力，降低了在回流焊过程中或PCB弯曲时产生微裂纹的风险，从而提升了产品的长期可靠性。村田的制造工艺还保证了器件的高度一致性，批次间差异小，有利于大规模生产的质量控制。

ML101J21-02广泛应用于各类需要小型化、高可靠性和良好温度稳定性的电子电路中。在移动通信设备中，它常用于基带处理器、射频收发器和电源管理芯片（PMIC）的输入/输出端，作为去耦电容以抑制电源噪声，确保信号完整性。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和智能手表中，其紧凑的尺寸和10μF的电容值使其成为理想的局部储能元件，用于应对处理器瞬态电流需求，稳定供电电压。
　　在计算机和服务器领域，该器件可用于内存模块、FPGA和ASIC芯片周围的电源去耦网络，尤其在空间紧张的M.2固态硬盘或嵌入式主板上发挥重要作用。在汽车电子系统中，如信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统（ADAS）和车身控制模块，其宽工作温度范围和高可靠性满足了严苛的AEC-Q200标准要求，能够在发动机舱附近或极端气候条件下稳定工作。
　　此外，ML101J21-02也适用于工业控制设备、医疗电子仪器和物联网（IoT）节点设备。在这些应用中，它不仅承担电源滤波功能，还可用于信号耦合、时间常数设定和EMI抑制等模拟电路功能。例如，在传感器接口电路中，它可以作为低通滤波器的一部分，滤除高频干扰，提高测量精度。由于其无铅和符合RoHS的特点，该器件也满足全球环保法规要求，适用于出口导向型产品。总的来说，任何需要在有限空间内部署中等容量、中低压陶瓷电容的场景，都是ML101J21-02的潜在应用领域。