型号：ML06MT47N
　　制造商：Micron Technology
　　器件类型：LPDDR2 SDRAM
　　存储容量：512 Mbit
　　组织结构：8M x 8 x 8 banks
　　数据宽度：16 bit
　　工作电压：1.8V ±0.1V
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：90
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　最大时钟频率：200 MHz
　　数据速率：400 Mbps（DDR）
　　刷新周期：64ms / 8192 rows
　　访问时间：典型值约15ns
　　输入/输出逻辑：SSTL_18

ML06MT47N的核心特性之一是其低功耗设计，特别适用于对能耗敏感的应用环境。该芯片采用了先进的低电压DDR2架构，工作电压仅为1.8V，相比传统的2.5V或3.3V DRAM显著降低了功耗。在待机或空闲状态下，支持多种节能模式，包括自动刷新（Auto Refresh）、自刷新（Self Refresh）和深度掉电模式（Deep Power-down Mode），可大幅减少静态电流消耗。例如，在自刷新模式下，内存能够维持数据完整性的同时将功耗降至最低，非常适合电池供电设备长时间运行的需求。
　　另一个关键特性是高可靠性和稳定性。ML06MT47N采用经过验证的制造工艺和技术，具备出色的抗干扰能力和信号完整性，能够在复杂电磁环境中保持稳定运行。其内部集成了温度补偿自刷新（TCSR）功能，可根据环境温度自动调整刷新率，避免因温度变化导致的数据丢失问题，从而提升长期运行的可靠性。此外，该器件支持全阵列数据掩码（DQM）功能，允许在读写操作中屏蔽特定数据字节，提高系统灵活性并减少不必要的数据传输。
　　在性能方面，ML06MT47N实现了高速数据传输能力。通过双倍数据率技术，它能在每个时钟周期传输两次数据，最高支持400Mbps的数据速率，满足中高端嵌入式系统对带宽的需求。其内部8 Bank架构支持交错访问，有效提升了并发处理能力，减少了等待时间，提高了整体效率。同时，该芯片具有较低的访问延迟和快速响应能力，适用于实时性要求较高的应用场景，如视频缓冲、图形渲染和数据缓存等。
　　封装方面，ML06MT47N采用90-ball FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装，具有体积小、引脚间距紧凑、热阻低的优点，便于在空间受限的设计中实现高密度集成。这种封装形式还提供了良好的电气性能和机械稳定性，适合自动化贴片生产流程，提升了制造良率和产品一致性。

ML06MT47N广泛应用于各类需要中等容量、低功耗动态存储的电子系统中。在便携式消费电子产品领域，它常被用于智能手机、平板电脑、电子书阅读器和多媒体播放器中，作为主内存或辅助缓存，支持操作系统运行和应用程序数据处理。由于其低电压和节能特性，特别适合依赖电池供电且强调续航能力的设备。
　　在工业控制系统中，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端、工业网关和远程IO模块，提供稳定可靠的运行内存支持。其宽温工作范围使其能够在高温或低温的恶劣工业环境中正常运作，确保系统连续运行不中断。
　　在网络与通信设备中，ML06MT47N可用于路由器、交换机、无线接入点和VoIP电话等设备的数据包缓冲和临时存储，帮助提升网络吞吐量和响应速度。此外，在汽车电子系统中，如车载信息娱乐系统（IVI）、行车记录仪和ADAS辅助模块中，该器件也能发挥重要作用，满足车规级环境下的性能与可靠性需求。
　　此外，该芯片还可用于医疗设备、测试仪器、智能安防摄像头和物联网网关等嵌入式平台，为这些设备提供必要的内存资源，支持多任务处理和实时数据采集。凭借其通用性、兼容性和稳定性，ML06MT47N成为许多中低端嵌入式系统的首选DRAM解决方案之一。

MT47H64M16HR-25E:ES