时间:2025/12/26 2:53:49
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ML05MTR68是一款由ONSEMI(安森美)公司生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列,广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器和保护电路中。该器件采用SOD-123FL超小型封装,具有低正向压降、快速反向恢复时间和高效率的特点,非常适合在对空间要求严格且需要高效能表现的便携式电子设备中使用。ML05MTR68由两个独立的肖特基二极管组成,连接方式为共阴极结构,这种设计使其在双路整流或电压钳位应用中表现出色。其额定平均正向整流电流为500mA,最大重复峰值反向电压为68V,能够满足多种低压直流系统的应用需求。该器件符合RoHS环保标准,并具备无卤素、无铅的绿色制造特性,适用于现代环保型电子产品生产。此外,SOD-123FL封装具有良好的热性能和机械稳定性,便于自动化贴片生产,提高了大规模制造的良率和可靠性。
型号:ML05MTR68
制造商:ONSEMI
封装类型:SOD-123FL
二极管配置:双二极管共阴极
最大重复峰值反向电压(VRRM):68V
最大直流阻断电压(VR):68V
平均正向整流电流(IF(AV)):500mA
峰值非重复浪涌电流(IFSM):30A
正向电压(VF):典型值0.45V(在100mA时),最大值0.6V(在500mA时)
反向漏电流(IR):最大10μA(在68V、25°C条件下)
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
反向恢复时间(trr):≤ 5ns
安装类型:表面贴装(SMD)
湿度敏感等级(MSL):1级(260°C,最长达4周)
ML05MTR68的核心优势在于其采用肖特基势垒技术,实现了极低的正向导通压降,显著降低了功率损耗并提升了系统整体效率。在典型的100mA工作电流下,其正向压降仅为0.45V左右,远低于传统PN结二极管的0.7V以上水平,这使得它在电池供电设备中尤为重要,有助于延长续航时间。同时,由于其载流子迁移机制不依赖少数载流子的存储效应,因此具备极快的开关速度,反向恢复时间trr不超过5纳秒,几乎不存在反向恢复电荷问题,有效减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI),特别适合用于高频开关电源拓扑如Buck、Boost和Flyback等电路中。
该器件的双二极管共阴极结构设计使其能够灵活应用于双通道同步整流、输入输出电压钳位、ESD保护以及逻辑电平移位等多种场景。例如,在多路DC-DC转换器中,可分别用于两路独立的续流路径;在H桥驱动电路中,则可用于防止反电动势损坏MOSFET。此外,ML05MTR68的工作结温范围宽达-55°C至+150°C,表明其不仅能在极端低温环境下启动运行,也能在高温工况下保持稳定性能,适用于工业控制、汽车电子和户外通信设备等严苛环境。
SOD-123FL封装尺寸紧凑,仅为2.7mm × 1.6mm × 1.1mm,极大节省了PCB布局空间,适应高密度集成趋势。该封装还优化了引脚设计,增强了焊接可靠性和散热能力。产品通过AEC-Q101车规认证的可能性较高(需查证具体批次),进一步拓展了其在车载充电系统、LED照明和传感器模块中的应用前景。此外,器件具备出色的抗湿性与长期可靠性,MSL等级为1级,支持回流焊工艺,适合全自动SMT生产线使用。
ML05MTR68广泛应用于各类中小型功率电子系统中,尤其适用于对效率和体积有较高要求的场合。常见应用包括便携式消费类电子产品中的DC-DC转换器整流与续流,例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的电源管理单元。在这些设备中,它常被用作升压或降压电路中的续流二极管,以提高转换效率并减少发热。此外,该器件也适用于笔记本电脑适配器、USB充电模块和无线充电发射端电路中的高频整流环节。
在工业领域,ML05MTR68可用于PLC控制器、传感器信号调理电路和隔离电源模块中的电压钳位与反向保护。其快速响应特性使其成为瞬态电压抑制(TVS)辅助电路的理想选择,能够有效吸收感应负载断开时产生的反向电动势,保护敏感IC免受损坏。在通信设备中,如路由器、交换机和光模块电源部分,该二极管用于提供高效的电源路径管理和噪声抑制。
汽车电子方面,尽管需确认是否通过AEC-Q101认证,但其电气和热性能足以支持非动力域应用,如车载信息娱乐系统、车身控制模块(BCM)、车内照明驱动和电动门窗控制电路。此外,在太阳能微型逆变器、LED驱动电源和智能家居控制板中,ML05MTR68凭借其高效率和小尺寸优势,也成为设计师常用的标准化元件之一。
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