型号：ML05MT68N
　　类型：肖特基势垒二极管阵列
　　配置：双二极管共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：68V
　　最大直流反向电压（VR）：68V
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：0.5A（8.3ms半正弦波）
　　最大正向电流（IF）：200mA
　　最大正向电压降（VF）：0.47V @ 100mA（每只二极管）
　　最大反向漏电流（IR）：0.1μA @ 25°C，68V
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-523
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3
　　极性：共阴极
　　热阻结到环境（RθJA）：350°C/W
　　结电容（Cj）：约8pF @ 4V

ML05MT68N的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，该技术利用金属-半导体接触形成势垒，显著降低了传统PN结二极管的正向压降。通常情况下，硅PN二极管的正向导通电压约为0.7V，而ML05MT68N在100mA电流下仅需0.47V左右，这意味着在相同工作条件下可大幅减少功率损耗，提高整体转换效率。尤其在低电压、大电流输出的DC-DC转换器中，这种低VF特性可以明显改善热管理性能，降低散热需求。
　　此外，肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不存在少数载流子的存储效应，因此具备极快的开关速度和几乎可以忽略的反向恢复时间（trr）。这一特点使ML05MT68N非常适合用于高频整流场合，例如开关模式电源（SMPS）、同步整流辅助电路、反激式变换器中的续流路径等。即使在高达数百kHz甚至MHz级别的开关频率下，也能保持优异的动态响应能力，避免因反向恢复电流引起的电磁干扰（EMI）和额外损耗。
　　器件内部集成了两个独立但共用阴极的肖特基二极管，这种共阴极拓扑结构特别适用于双路正电压钳位、双通道信号隔离或双路输出整流的应用。例如，在USB接口或电池供电系统的过压保护设计中，可通过将两阳极分别连接至不同信号线，公共阴极接地，实现多路信号的瞬态抑制与极性保护。同时，SOD-523小型化封装不仅节省PCB空间，还具备良好的热传导性能，便于自动化贴片生产，提升制造良率。
　　ML05MT68N的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，确保其在恶劣环境下的稳定运行，包括工业控制、汽车电子外围电路及户外通信设备等应用场景。其低漏电流特性（典型值0.1μA @ 68V）也保证了在待机或低功耗模式下不会产生明显的静态功耗，有助于延长电池寿命。综合来看，该器件在效率、尺寸、可靠性之间实现了良好平衡，是现代高集成度电子产品中理想的整流与保护元件之一。

ML05MT68N常用于各类需要高效、小型化整流与保护功能的电子系统中。典型应用包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理单元，用于电池充放电回路的防反接保护和DC-DC升压/降压电路中的续流二极管。在通信接口电路中，它可用于USB、HDMI、RS-232等信号线路的静电放电（ESD）防护和电压钳位，防止瞬态高压损坏后级IC。此外，在AC-DC和DC-DC开关电源中，该器件作为次级侧整流元件，尤其是在低输出电压（如3.3V、5V）的情况下，能够发挥其低正向压降的优势，提升整体能效。
　　在汽车电子领域，尽管其额定电流较小，但仍可用于车载信息娱乐系统、传感器模块或LED照明驱动电路中的信号调理与保护环节。由于其具备较高的反向耐压能力（68V），也可应用于工业控制设备中的继电器驱动电路或光耦输入端的反电动势吸收，起到保护晶体管或逻辑芯片的作用。另外，在无线充电接收模块、蓝牙耳机充电仓、IoT节点设备等对空间高度敏感的设计中，SOD-523封装的ML05MT68N因其微型尺寸成为优选方案。其无铅环保特性也满足现代电子产品对绿色制造的要求，广泛适用于出口型产品认证。总而言之，该器件凭借其高性能与紧凑设计，已成为众多中小型功率电子系统中不可或缺的基础元器件。

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　　 "BAT54C",
　　 "RB750S30",
　　 "SMS7621",
　　 "MBR0540"
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