型号：ML05MT1R8
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：-1.8A
　　脉冲漏极电流（IDM）：-4.5A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.8Ω（@ VGS = -4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：2.2Ω（@ VGS = -2.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -1.5V
　　栅极电荷（Qg）：典型值3.5nC
　　输入电容（Ciss）：典型值220pF
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

ML05MT1R8 P沟道MOSFET具备多项优异的电气与热性能特性，使其在低电压功率开关领域表现出色。首先，其-20V的漏源击穿电压适合用于2节或3节电池供电系统，能够在常见的便携式设备电压范围内安全运行。该器件的低导通电阻是其核心优势之一，在VGS=-4.5V时RDS(on)仅为1.8Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效。同时，在更低的驱动电压如-2.5V条件下仍能保持2.2Ω的低阻值，说明其在低压逻辑控制下依然具备良好的导通能力，兼容现代微控制器的输出电平。
　　该MOSFET的阈值电压范围为-0.8V至-1.5V，确保了器件在较小的栅极驱动信号下即可开启，有利于实现快速响应和节能操作。其极低的栅极电荷（Qg典型值3.5nC）和输入电容（Ciss=220pF）进一步提升了开关速度，减少了开关过程中的能量损耗，特别适用于高频开关应用如同步整流和脉宽调制（PWM）控制电路。
　　SOT-23封装不仅体积小巧，便于高密度布局，还具备良好的散热性能，结合芯片本身的低热阻设计，可在紧凑空间内稳定工作。器件支持高达+150°C的工作结温，展现出优秀的热稳定性与可靠性。此外，ML05MT1R8经过严格的制造工艺控制，具有良好的批次一致性与长期稳定性，适用于工业级和商业级应用场景。其无铅、符合RoHS指令的设计也满足现代电子产品对环保法规的要求。

ML05MT1R8广泛应用于需要高效、小型化功率开关的电子系统中。常见用途包括便携式电子设备中的电源开关与电池隔离，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或电源路径管理。在DC-DC转换器中，它可用于同步整流或作为高边/低边开关元件，配合其他MOSFET实现升降压功能。该器件也适用于过压与过流保护电路，作为受控开关切断故障电流。在微控制器I/O扩展驱动中，ML05MT1R8可用于驱动LED、继电器或其他外围设备，提供比GPIO直接驱动更强的电流能力。
　　此外，该MOSFET在电池管理系统（BMS）中可用于充放电通路的控制，实现对电池的安全隔离与管理。由于其快速开关特性，也可用于信号切换或多路复用电路中，特别是在模拟开关或数字电源控制场合表现优异。工业手持设备、无线传感器节点、智能家居控制模块以及USB供电设备中也常采用此类小信号P沟道MOSFET来实现精确的电源控制。得益于SOT-23的小型封装，它非常适合空间受限的高密度PCB设计，是现代低功耗嵌入式系统中理想的功率开关解决方案。

SI2301, FDN302P, AO3401, BSS84