类型：齐纳二极管
　　封装/外壳：SOD-323
　　齐纳电压（Vz）：5.6V
　　容差：±5%
　　额定功率：200mW
　　最大齐纳阻抗（Zzt）：10Ω @ Iz = 5mA
　　测试电流（Iz）：5mA
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　反向漏电流（Ir）：1μA @ VR = 1V
　　峰值脉冲功率（Ppk）：300W（8/20μs波形）
　　安装类型：表面贴装（SMT）
　　引脚数：2

ML05KTR56齐纳二极管的核心特性之一是其精确且稳定的5.6V齐纳电压，这一电压值位于硅材料PN结温漂最小的工作点附近，因此具有优异的温度系数表现。通常情况下，大约在5.6V左右的齐纳电压下，齐纳效应与雪崩击穿机制相互平衡，使得整体温度系数接近于零，显著优于更高或更低电压的齐纳二极管。这种低温度漂移特性使其非常适合用作精密电压参考源，即使在环境温度变化较大的条件下也能保持输出电压的稳定。
　　该器件采用SOD-323小型化封装，体积仅为约1.7mm x 1.25mm x 1.0mm，极大节省了PCB布局空间，特别适用于高密度组装的便携式电子产品。尽管尺寸微小，但其散热设计优化良好，在适当的PCB布线条件下可有效耗散200mW的连续功率。同时，器件支持高达300W的瞬态脉冲功率（基于8/20μs电流波形），可用于吸收ESD静电放电或开关瞬变引起的电压尖峰，从而增强系统的电磁兼容性（EMC）和可靠性。
　　ML05KTR56具备低动态阻抗（典型Zzt为10Ω），这意味着在负载电流波动时仍能维持较小的电压偏差，提升稳压性能。其反向漏电流极低（在1V反偏下仅为1μA），有助于减少待机功耗，尤其适合电池供电设备。制造工艺上采用玻璃钝化处理技术，增强了芯片表面的绝缘性和耐湿性，提升了长期使用的稳定性和抗老化能力。此外，产品符合AEC-Q101车规级可靠性标准的部分要求，部分批次可用于汽车电子中的非关键控制模块。所有材料均符合RoHS指令，不含铅、镉等有害物质，支持无铅回流焊工艺，适应现代自动化生产流程。

ML05KTR56广泛应用于各类需要稳定电压参考或过压保护的电子系统中。在电源管理单元中，它常被用于低压直流稳压电路，为微控制器、传感器或模拟前端提供基准电压，尤其是在没有专用基准源IC的设计中作为经济高效的替代方案。其5.6V输出可通过电阻分压后适配3.3V或2.5V逻辑电平系统，实现电平转换或偏置设置。
　　在信号调理电路中，ML05KTR56可用于钳位输入信号电压，防止因瞬态过压导致后续器件损坏，例如在通信接口（如UART、I2C总线）中作为ESD保护和电压限幅元件。结合普通二极管和限流电阻，可构建低成本的双向TVS保护网络，提升系统对外部干扰的抵御能力。
　　该器件也常见于反馈控制环路中，如开关电源的电压检测支路，用于设定输出电压阈值。此外，在电池充电管理电路中，可用作电压监测节点的参考源，判断充电状态或触发截止条件。由于其良好的温度稳定性，还可用于温度补偿电路中，抵消其他元件的温漂影响。
　　在消费类电子产品如智能手机、蓝牙耳机、智能手表中，ML05KTR56因其小型化和高可靠性而被广泛采用。工业领域中，可用于PLC模块、数据采集设备中的信号保护；汽车电子中则可用于车身控制模块、车载传感器接口等对空间和稳定性有要求的场合。此外，在LED驱动、DC-DC转换器、ADC参考电压生成等场景中也有广泛应用。