尺寸代码：0201 (0603公制)
　　电容值：22 pF
　　容差：±10%
　　额定电压：16 V DC
　　介质材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15% (-55°C ~ +125°C)
　　封装形式：编带（Tape and Reel）
　　端接类型：镍阻挡层 + 锡覆盖
　　无源元件类型：陶瓷电容器
　　应用类别：表面贴装器件（SMD）

ML05KT220采用X7R型陶瓷介质材料，具有优异的温度稳定性和电容保持率。X7R是一种高介电常数的铁电陶瓷材料，在宽温度范围内（-55°C至+125°C）能够维持电容值变化不超过±15%，这使其非常适合用于对电容稳定性有一定要求但不需超高精度的应用场景。相较于C0G/NP0类电容器，X7R材料能够在更小的封装内实现更高的单位体积电容密度，因此在空间受限的设计中极具优势。
　　该电容器的结构为多层叠层设计，内部由多个交替排列的陶瓷介质层和内电极构成，有效增加了电极面积从而提高电容量。同时，这种结构显著降低了等效串联电感（ESL），使其在中高频段仍能保持良好的去耦性能，适用于去噪和电源稳定电路。其端子采用镍阻挡层加锡覆盖的三层电极结构（铜-镍-锡），不仅增强了机械强度和抗热冲击能力，还提高了焊接可靠性和长期环境耐受性，防止因银迁移或硫化导致的失效问题。
　　由于其0201（0603公制）的小型化封装，ML05KT220支持高密度PCB布局，适应当前电子产品微型化趋势。它兼容标准SMT贴片工艺和无铅回流焊流程（峰值温度可达260°C），适合自动化大批量生产。尽管X7R材料存在一定的电压依赖性（即直流偏压下电容值会下降），但在低偏压信号耦合、滤波和旁路应用中影响较小。综合来看，该器件在成本、尺寸、性能之间实现了良好平衡，是工业级和消费类电子中的常用选择。

ML05KT220广泛应用于各类需要小型化、高可靠性陶瓷电容器的电子电路中。常见用途包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能手表和蓝牙耳机中的电源去耦电容，用于滤除IC供电引脚上的高频噪声，确保数字电路稳定运行。在射频（RF）前端模块中，该电容可用于阻抗匹配网络、滤波器和耦合电路，因其在GHz频段仍具备较低的损耗和稳定的电气特性。
　　此外，该器件也适用于通信设备、传感器接口电路、微控制器单元（MCU）外围电路以及汽车电子中的非动力控制系统（如车载信息娱乐系统）。在这些应用中，它常被用作旁路电容以抑制瞬态电压波动，或作为交流信号通路中的隔直电容。由于其工作温度范围宽，也能胜任工业控制设备中较为严苛的环境条件。在高速数字电路中，ML05KT220可作为局部储能元件，缓解开关电流引起的电压跌落，提升系统抗干扰能力。总之，凡是在有限空间内需要中等精度、良好温度特性和稳定电气性能的场合，该电容器都是理想的选择之一。