时间:2025/12/26 0:45:28
阅读:16
ML05KT1R8是一款由Vishay Semiconductor生产的瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),主要用于电路中的静电放电(ESD)保护和瞬态过电压防护。该器件属于表面贴装型微型封装产品,适用于对空间要求严苛的高密度电子设备。ML05KT1R8采用先进的硅PN结制造工艺,具备快速响应时间和低钳位电压特性,能够在纳秒级时间内将瞬态高压脉冲引导至地,从而有效保护下游敏感电子元件免受损坏。该TVS二极管特别适合用于高速数据线、通信端口、电源线路以及其他需要可靠瞬态保护的应用场景。其小尺寸封装不仅节省PCB布局空间,还便于实现自动化贴片生产,广泛应用于消费类电子产品、便携式设备、工业控制系统及汽车电子等领域。
器件型号:ML05KT1R8
制造商:Vishay Semiconductor
产品类型:TVS二极管(瞬态电压抑制二极管)
通道数:单通道
反向关断电压(VRWM):1.8V
击穿电压(VBR):最小2.0V,最大2.37V
钳位电压(VC):最大4.5V(在IPP = 1A条件下)
峰值脉冲电流(IPP):最大1A(根据IEC 61000-4-2标准)
峰值脉冲功率(Ppk):300W(8/20μs波形)
响应时间:典型值小于1ns
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
封装类型:SOD-962(微型表面贴装封装)
安装方式:表面贴装(SMD)
极性结构:双向
ML05KT1R8具有出色的瞬态电压抑制能力,专为低电压逻辑电路设计,其反向关断电压仅为1.8V,能够兼容现代低压数字系统的运行需求,例如USB接口、I2C总线、SD卡插槽等应用场景。该器件采用双向结构设计,可同时应对正负方向的瞬态过电压事件,无需考虑极性连接错误问题,提高了系统设计的灵活性与可靠性。由于采用了先进的硅半导体工艺,ML05KT1R8在遭遇ESD冲击时表现出极快的响应速度,通常可在不到1纳秒的时间内启动保护机制,迅速将电压钳制在安全范围内,防止敏感IC因瞬间高压而发生功能异常或永久性损伤。此外,其低钳位电压特性确保在触发后仍能维持较低的残压输出,在1A峰值电流下不超过4.5V,这显著降低了被保护电路承受的应力水平。
该TVS二极管具备高达300W的峰值脉冲功率处理能力(基于8/20μs电流波形测试条件),能够承受多次高强度瞬态事件而不退化性能,展现出优异的耐久性和长期稳定性。其SOD-962封装尺寸极小,典型尺寸约为1.0mm × 0.6mm × 0.5mm,非常适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等追求轻薄化设计的产品中。该封装还具备良好的热传导性能和机械强度,支持回流焊工艺,适应现代自动化生产线的要求。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C,使其不仅能在常温环境下稳定工作,也能在高温或低温极端环境中保持可靠的保护功能,满足工业级和部分汽车电子应用的需求。整体而言,ML05KT1R8是一款高性能、小型化、高可靠性的瞬态保护解决方案,尤其适用于对空间和响应速度有严格要求的精密电子系统。
ML05KT1R8广泛应用于各类需要静电放电(ESD)保护的电子设备中,尤其是在高速数据传输接口和低电压供电线路中表现突出。常见应用包括智能手机和平板电脑中的USB端口、HDMI接口、音频插孔以及触摸屏信号线的ESD防护;在无线通信模块如Wi-Fi、蓝牙和NFC电路中,用于保护射频前端和基带处理器免受人体模型静电放电(HBM)和机器模型(MM)带来的损害。此外,该器件也适用于存储卡接口(如microSD、eMMC)、传感器信号线(如加速度计、陀螺仪)以及便携式医疗设备的数据采集通道,提供可靠的瞬态电压抑制功能。
在工业控制领域,ML05KT1R8可用于PLC输入输出端口、人机界面(HMI)面板按键、编码器信号线等易受外部干扰的节点,防止现场环境中因静电积累或开关瞬变引起的误动作或芯片损坏。在汽车电子系统中,尽管其主要定位为消费级应用,但也可用于非动力系统的辅助电子装置,例如车载信息娱乐系统(IVI)、后排座椅显示屏、车内USB充电口等对空间紧凑性和响应速度要求较高的部位。同时,由于其符合RoHS环保标准且无卤素,满足现代电子产品对绿色制造的要求,因此在各类消费类电子产品的大批量生产中得到广泛应用。其微型封装和高效的保护性能相结合,使ML05KT1R8成为现代高集成度电子系统中不可或缺的基础保护元件之一。
SMBJ5.0A-E3/52
ESD5V3U1BA
PUSB3F2BDN