ML03MT56N是一款由Micron Technology（美光科技）生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于其低功耗DDR3L（LPDDR3）产品线。该器件主要面向对功耗敏感的便携式电子设备应用，例如智能手机、平板电脑、超极本以及其他需要高带宽和低能耗内存解决方案的移动计算平台。作为一款高度集成的同步DRAM，ML03MT56N在封装尺寸、性能和能效之间实现了良好平衡，适用于空间受限且对电池寿命有较高要求的产品设计。
　　该芯片采用标准的BGA（球栅阵列）封装形式，具备较高的引脚密度和良好的电气性能，便于在紧凑的PCB布局中实现稳定连接。其内部架构基于8Gb（1吉比特）的存储容量，组织方式为8个内部Bank、每Bank 16,384行×1,024列×8位数据宽度，总容量为1GB（8Gb），工作电压为1.35V或1.5V（支持DDR3L标准），相较于传统DDR3进一步降低了运行和待机功耗。
　　ML03MT56N通过JEDEC标准兼容接口进行通信，支持双倍数据率传输，在800Mbps至1066Mbps的数据速率范围内运行（即DDR3-1600至DDR3-2133等效频率），可提供高达8.5GB/s的理论峰值带宽（取决于配置和时序）。它支持多种低功耗模式，包括自动刷新、自刷新、部分阵列自刷新（PASR）以及温度补偿自刷新（TCSR），从而有效延长移动设备的续航时间。此外，该器件还集成了片上终结电阻（ODT）和写入水平化功能，以提升信号完整性并减少外部元件需求。